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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及其制作方法、三维存储器、存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284279B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111452211.5，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体结构及其制作方法、三维存储器、存储系统是由陈阳;王迪;张中;周文犀设计研发完成，并于2021-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制作方法、三维存储器、存储系统在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其制作方法、三维存储器、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决当三维存储器的堆叠层数较多时，在对三维存储器中台阶部分进行氧化物的填充时引起的应力不均和裂纹问题。提供一种半导体结构，包括第一存储堆叠结构和第二存储堆叠结构。第一存储堆叠结构包括第一连接墙和第一台阶部分，第一连接墙与第一台阶部分接触，第一连接墙延伸至第一核心区和第二核心区。第二存储堆叠结构包括第二台阶部分，第二台阶部分包括第一台阶组和第二台阶组，第一台阶组延伸至第一核心区，并具有在接近第二核心区的方向上下降的台阶面，第二台阶组延伸至第二核心区，并具有在接近第一核心区的方向上下降的台阶面。

本发明授权半导体结构及其制作方法、三维存储器、存储系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，具有： 依次设置的第一核心区、台阶区以及第二核心区； 所述半导体结构包括： 第一存储堆叠结构，包括交替层叠设置的第一介质层和第一导电层；所述第一存储堆叠结构中位于所述台阶区中的部分为第一连接结构；所述第一连接结构包括：沿第一方向分布的第一连接墙和第一台阶部分，所述第一连接墙与所述第一台阶部分接触，所述第一连接墙沿第二方向延伸至所述第一核心区和所述第二核心区；所述第一方向为所述第一连接墙的厚度方向；所述第一台阶部分包括在所述第二方向上排布的第三台阶组和第四台阶组，所述第三台阶组的台阶面在接近所述第二核心区的方向上上升，所述第四台阶组的台阶面在接近所述第二核心区的方向上下降； 第二存储堆叠结构，设置在所述第一存储堆叠结构的一侧；所述第二存储堆叠结构包括交替层叠设置的第二介质层和第二导电层，所述第二存储堆叠结构中位于所述台阶区中的部分为第二连接结构；所述第二连接结构包括第二台阶部分，所述第二台阶部分包括第一台阶组和第二台阶组，所述第一台阶组延伸至所述第一核心区，并具有在接近所述第二核心区的方向上下降的台阶面，所述第二台阶组延伸至所述第二核心区，并具有在接近所述第一核心区的方向上下降的台阶面。

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