三星电子株式会社李基硕获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114284269B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111134033.1,技术领域涉及:H10B12/00;该发明授权半导体存储器件是由李基硕;李炅奂;金桐晤;金容锡;金熙中;赵珉熙设计研发完成,并于2021-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器件在说明书摘要公布了:一种半导体存储器件,包括:在第一方向上延伸的位线;在位线上的沟道图案,该沟道图案包括彼此面对的第一垂直部分和第二垂直部分以及连接第一垂直部分和第二垂直部分的水平部分;第一字线和第二字线,提供在水平部分上并且在第一垂直部分和第二垂直部分之间,并且在与位线交叉的第二方向上延伸;以及栅极绝缘图案,提供在第一字线和沟道图案之间以及在第二字线和沟道图案之间。
本发明授权半导体存储器件在权利要求书中公布了:1.一种半导体存储器件,包括: 在第一方向上延伸的位线; 在所述位线上在所述第一方向上彼此间隔开的多个沟道图案,每个所述沟道图案包括彼此面对的第一垂直部分和第二垂直部分以及连接所述第一垂直部分与所述第二垂直部分的水平部分; 第一字线和第二字线,提供在每个所述沟道图案的所述水平部分上并且在每个所述沟道图案的所述第一垂直部分和所述第二垂直部分之间,所述第一字线和所述第二字线在与所述位线交叉的第二方向上延伸;以及 栅极绝缘图案,提供在所述第一字线和所述沟道图案中的对应一个之间以及在所述第二字线和所述沟道图案中的所述对应一个之间。
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