中国电子科技集团公司第二十四研究所魏佳男获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利双极晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114122110B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111414757.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权双极晶体管及其制备方法是由魏佳男;张培健;罗婷;陈仙;税国华;仵韵辰;易孝辉;洪敏;任芳设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本双极晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种双极晶体管及其制备方法，所述双极晶体管包括：衬底、外延层、基区、发射区、深集电极接触区、环形掺杂区、基极接触、发射极接触及环形集电极接触，环形掺杂区环绕基区，环形集电极接触分别与深集电极接触区及环形掺杂区电连接。通过包围基区和发射结的环形掺杂区，以及与环形掺杂区电连接的环形集电极接触，形成了一个抗总剂量加固结构，该抗总剂量加固结构在上电时会形成一个环形电场，该环形电场可使发射结注入基区的少数载流子能够沿多个方向的传输路径被集电结收集，降低了电流传输路径上的载流子浓度，削弱了基区中少子向界面位置的扩散，降低了基区SiSiO22界面附近的载流子复合率，抑制了基极电流的增加，提高了抗总剂量能力。
本发明授权双极晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双极晶体管，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，设置在所述衬底上； 基区，设置在所述外延层中且位于所述外延层的顶部； 发射区，设置在所述基区中且位于所述基区的顶部； 深集电极接触区，设置在所述外延层中，从所述外延层的顶部垂直伸入所述外延层的底部； 环形掺杂区，设置在所述外延层中，位于所述外延层的顶部并环绕所述基区； 基极接触，设置在所述外延层上，与所述基区电连接； 发射极接触，设置在所述外延层上，与所述发射区电连接； 环形集电极接触，设置在所述外延层上，分别与所述深集电极接触区及所述环形掺杂区电连接； 其中，所述外延层的剩余部分构成所述双极晶体管的集电区； 其中，所述环形掺杂区与所述深集电极接触区在空间位置上存在交叠。
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