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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068576B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111281976.7，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权三维存储器及其制备方法是由张中;王迪;周文犀设计研发完成，并于2021-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种三维存储器及其制备方法。制备方法包括：在衬底上形成堆叠结构，堆叠结构包括第一阵列区、第二阵列区以及第一连接区，第一连接区包括在第一方向上设置的多个功能区域，功能区域包括在第二方向上设置的两个子连接区域；刻蚀多个子连接区域上的堆叠结构以形成多个初始阶梯块，多个初始阶梯块呈两排设置，在第一方向上，每个初始阶梯块的第一初始部分与第二初始部分具有高度差；在第二方向上，相邻的两个初始阶梯块之间具有高度差；对多个初始阶梯块进行刻蚀以形成多个依次设置的台阶块，在第二方向上，台阶块呈两排设置，台阶块中的台阶包括至少四个堆叠对。本发明的台阶角落里不会有残留物残留，台阶块后续的操作空间较大。

本发明授权三维存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括多个堆叠对，其中，所述堆叠结构包括第一阵列区、第二阵列区以及设置在所述第一阵列区和所述第二阵列区之间的第一连接区，所述第一连接区包括在第一方向上依次设置的多个功能区域，每个所述功能区域包括在第二方向上设置的两个子连接区域； 刻蚀多个所述子连接区域上的堆叠结构以形成多个初始阶梯块，多个所述初始阶梯块呈两排设置，在所述第一方向上，每个所述初始阶梯块包括第一初始部分与第二初始部分，所述第一初始部分与所述第二初始部分具有高度差；在所述第二方向上，相邻的两个初始阶梯块之间具有高度差； 以至少四个堆叠对的高度为刻蚀单元对多个所述初始阶梯块进行刻蚀以形成多个中间台阶块，进而形成多个依次设置的台阶块，多个所述中间台阶块呈两排设置，所述初始阶梯块的第一初始部分刻蚀后形成所述中间台阶块的第一台阶部，所述初始阶梯块的第二初始部分刻蚀后形成所述中间台阶块的第二台阶部，所述中间台阶块的第一台阶部与所述第二台阶部相对设置，且所述中间台阶块的第一台阶部的台阶与第二台阶部的台阶错位排布，所述第一台阶部比所述第二台阶部高三个堆叠对的高度；在所述第二方向上，所述台阶块呈两排设置，所述台阶块中的台阶包括至少四个堆叠对。

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