日月光半导体制造股份有限公司许武州获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948500B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111159588.1，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权半导体封装结构是由许武州;庄弘毅设计研发完成，并于2021-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构在说明书摘要公布了：本公开提供的半导体封装结构，预先对离散式元件DiscreteComponent进行整合形成堆叠式被动元件整合体，堆叠式被动元件整合体可以提供Z轴方向的信号传输路径，这样可以缩短离散式元件之间内部信号传输路径，降低离散式元件之间的信号传输损耗。另外，在将堆叠式被动元件整合体内埋于基板后进行介电材压合时，可以避免空洞的产生，提高产能和良率。
本发明授权半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，包括： 堆叠式被动元件整合体，具有由下到上堆叠形成的多个被动元件，所述堆叠式被动元件整合体提供第一方向的信号传输路径； 所述堆叠式被动元件整合体包括多个堆叠群，每个所述堆叠群包括多个被动元件，各所述堆叠群内被动元件之间的间距不同于所述堆叠群之间的间距； 所述堆叠式被动元件整合体中沿第二方向或第三方向相邻的被动元件之间设有第二导电层，所述第二导电层形成于每个所述堆叠群内的被动元件之间，而不形成于所述堆叠群之间； 每个所述堆叠群内在X-Y平面上，一个被动元件与对角侧的被动元件电连接，而与相邻的被动元件之间没有电连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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