先进微晶圆私人有限公司罗贤树获国家专利权
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龙图腾网获悉先进微晶圆私人有限公司申请的专利一种超薄集成芯片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113924643B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980088796.1，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种超薄集成芯片及其制造方法是由罗贤树;卢国强设计研发完成，并于2019-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超薄集成芯片及其制造方法在说明书摘要公布了：一种制造半导体器件的方法，该方法包括：形成衬底；由对蚀刻工艺不敏感的第一类型的材料形成支撑层；支撑层具有与半导体器件的所需厚度相关的预定厚度；在支撑层上形成器件；在器件上形成至少一层包覆材料；在层中形成至少向下延伸至所述衬底的多个沟槽；在包覆材料上施加膜；使用蚀刻工艺至少部分地移除所述衬底以使器件与晶片上的其它器件分离。
本发明授权一种超薄集成芯片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括缓冲层及沉积在所述缓冲层上的蚀刻停止层；所述缓冲层包括SiO2、SiON、SiN中至少一种并且具有预定的厚度；所述缓冲层在所述半导体器件的衬底去除后作为所述半导体器件的支撑层；且所述半导体器件的厚度小于50μm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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