爱思开海力士有限公司权世汉获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113889472B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110053807.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制造方法是由权世汉设计研发完成，并于2021-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底，其包括存储单元区域和外围电路区域，所述外围电路区域包括具有第一晶体管的第一外围电路区域和具有第二晶体管的第二外围电路区域；储存节点接触插塞，其位于在所述存储单元区域中所述衬底的上部；着陆垫，其在所述储存节点接触插塞上方；第一金属线，其与所述第一晶体管耦接；以及第二金属线，其与所述第二晶体管耦接，其中，所述着陆垫的厚度和所述第一金属线的厚度小于所述第二金属线的厚度。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底，其包括存储单元区域和外围电路区域，所述外围电路区域包括具有第一晶体管的第一外围电路区域和具有第二晶体管的第二外围电路区域； 储存节点接触插塞，其位于在所述存储单元区域中所述衬底的上部中； 着陆垫，其在所述储存节点接触插塞上方； 第一金属线，其与所述第一晶体管耦接；以及 第二金属线，其与所述第二晶体管耦接， 其中，所述着陆垫的厚度和所述第一金属线的厚度小于所述第二金属线的厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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