三星电子株式会社金恩知获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件、器件和封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851448B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110709426.4，技术领域涉及：H10W70/60；该发明授权半导体器件、器件和封装是由金恩知;白承祐;金炳圭;朴相俊;赵星东设计研发完成，并于2021-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、器件和封装在说明书摘要公布了：本公开提供半导体器件、器件和封装。该器件包括：基板；在基板上的外围电路和第一接合焊盘；围绕第一接合焊盘的侧表面的第一绝缘结构；接触第一接合焊盘的第二接合焊盘；在第一绝缘结构上的第二绝缘结构；在第二绝缘结构上的钝化层；上绝缘结构，在钝化层和第二绝缘结构之间；阻挡盖层，在上绝缘结构和钝化层之间；导电图案，在上绝缘结构中彼此间隔开；第一图案结构，在上绝缘结构和第二绝缘结构之间；堆叠结构，在第二绝缘结构和第一图案结构之间，并包括栅极层；以及垂直结构，穿过堆叠结构并包括数据存储结构和沟道层。
本发明授权半导体器件、器件和封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 基板； 外围电路和第一接合焊盘，在所述基板上； 第一绝缘结构，在所述基板上并围绕所述第一接合焊盘的侧表面； 第二接合焊盘，接触所述第一接合焊盘； 第二绝缘结构，在所述第一绝缘结构上并围绕所述第二接合焊盘的侧表面； 钝化层，在所述第二绝缘结构上； 上绝缘结构，在所述钝化层和所述第二绝缘结构之间； 阻挡盖层，在所述上绝缘结构和所述钝化层之间，并包括与所述上绝缘结构的材料和所述钝化层的材料不同的材料； 导电图案，在所述上绝缘结构中彼此间隔开； 第一图案结构，在所述上绝缘结构和所述第二绝缘结构之间； 堆叠结构，在所述第二绝缘结构和所述第一图案结构之间，并包括在垂直方向上彼此间隔开的栅极层；以及 在所述垂直方向上穿过所述堆叠结构的垂直结构，所述垂直结构包括数据存储结构和沟道层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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