买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉三星显示有限公司申请的专利薄膜晶体管基板和显示设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130511B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011501932.6，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权薄膜晶体管基板和显示设备是由李贤贞;金荣国;徐美善设计研发完成，并于2020-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜晶体管基板和显示设备在说明书摘要公布了：本公开涉及一种薄膜晶体管基板和一种包括薄膜晶体管基板的显示设备，所述显示设备包括位于基板上的第一薄膜晶体管。所述第一薄膜晶体管包括：第一半导体层，具有第一沟道区、第一源极区和第一漏极区；第一下栅电极，位于所述基板与所述第一半导体层之间；第一上栅电极，位于所述第一半导体层上并与所述第一沟道区交叠；以及第一电极层，位于所述第一上栅电极上并电连接到所述第一源极区和所述第一漏极区中的至少一者。所述第一下栅电极与所述第一沟道区和所述第一漏极区交叠。

本发明授权薄膜晶体管基板和显示设备在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管基板，包括： 第一薄膜晶体管，设置在基板上，所述第一薄膜晶体管包括： 第一半导体层，包括第一沟道区、第一源极区和第一漏极区； 第一下栅电极，设置在所述基板与所述第一半导体层之间； 第一上栅电极，设置在所述第一半导体层上并与所述第一沟道区交叠；以及 第一电极层，设置在所述第一上栅电极上并电连接到所述第一源极区和所述第一漏极区中的至少一者， 其中，所述第一下栅电极与所述第一沟道区和所述第一漏极区交叠， 所述第一上栅电极包括与所述第一源极区相邻的第一端和与所述第一漏极区相邻的第二端， 所述第一下栅电极包括与所述第一源极区相邻的第一端和与所述第一漏极区相邻的第二端， 在平面图中，所述第一上栅电极的所述第二端和所述第一沟道区与所述第一漏极区之间的边界彼此重合，并且，所述第一上栅电极的所述第二端和所述第一沟道区与所述第一漏极区之间的所述边界位于所述第一下栅电极的区域内， 所述第一下栅电极在一个方向上的宽度减小，并且在所述平面图中，所述第一下栅电极通过避开所述第一源极区或与所述第一源极区分开而与所述第一半导体层交叠，使得所述第一上栅电极的所述第一端、所述第一下栅电极的所述第一端以及所述第一沟道区与所述第一源极区之间的边界彼此重合。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星显示有限公司，其通讯地址为：韩国京畿道龙仁市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。