意法半导体股份有限公司M·G·萨吉奥获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利4H-SIC MOSFET器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112802897B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011278853.3，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权4H-SIC MOSFET器件及其制造方法是由M·G·萨吉奥;E·扎内蒂;A·瓜尔内拉设计研发完成，并于2020-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本4H-SIC MOSFET器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及4H‑SICMOSFET器件及其制造方法。MOSFET器件包括具有第一面和第二面的半导体主体。MOSFET器件的源极端子包括掺杂区域和金属层，掺杂区域在半导体主体的第一面处延伸，并且金属层电耦合到该掺杂区域的金属层。漏极端子在半导体主体的第二面处延伸。掺杂区域包括第一子区域和第二子区域，第一子区域具有第一掺杂水平和第一深度，并且第二子区域具有第二掺杂水平和第二深度的第二子区域。第二掺杂水平和第二最大深度中间的至少一项具有比第一掺杂水平和第一最大深度的相应值高的值。金属层唯一地通过第二子区域与源极端子电接触。
本发明授权4H-SIC MOSFET器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET器件，包括： 半导体主体，具有沿一方向彼此相对的第一面和第二面； 源极端子，包括掺杂区域和金属层，所述掺杂区域在所述半导体主体的所述第一面处延伸，所述金属层电耦合到所述掺杂区域；以及 漏极端子，在所述半导体主体的所述第二面处延伸， 其中所述掺杂区域包括第一子区域和第二子区域，所述第一子区域具有第一掺杂浓度和在所述半导体主体中的第一最大深度，所述第二子区域具有第二掺杂浓度和在所述半导体主体中的第二最大深度，并且 其中所述第一子区域和所述第二子区域的类型与所述MOSFET器件的沟道类型相同，并且其中所述第二掺杂浓度等于所述第一掺杂浓度，所述第二最大深度高于所述第一最大深度， 所述金属层唯一地通过所述第二子区域与所述掺杂区域电接触，所述金属层仅在所述源极端子的所述第二子区域处与所述掺杂区域直接物理接触。
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