瑞萨电子株式会社久本大获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112802853B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011261966.2，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体器件是由久本大;川嶋祥之;桥本孝司设计研发完成，并于2020-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及半导体器件。半导体器件具有使用FinFET的分离栅极型MONOS结构，并且该半导体器件包括源极和漏极，其各自由n型杂质扩散层形成；第一沟道形成层，形成在控制栅极下方，并且由掺杂有p型杂质的半导体层形成、以及第二沟道形成层，形成在存储器栅极下方，并且由掺杂有n型杂质的半导体层形成。此外，半导体器件包括p型半导体层，该p型半导体层形成在第二沟道形成层下方，并且具有比半导体衬底的杂质浓度高的杂质浓度。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种具有分离栅极型MONOS结构的半导体器件，包括： 半导体衬底，所述半导体衬底具有主表面； 鳍，所述鳍是所述半导体衬底的一部分，并且被形成为从所述半导体衬底的所述主表面选择性地突出； 隔离部，所述隔离部被形成在所述半导体衬底的所述主表面上，并且被形成为具有位于如下位置处的上表面：比所述鳍的上表面的位置低的位置； 控制栅极，所述控制栅极被形成为经由栅极绝缘膜而将所述鳍夹持，所述栅极绝缘膜被形成在所述鳍的表面上； 存储器栅极，所述存储器栅极被形成为经由电荷俘获膜而将所述鳍夹持，所述电荷俘获膜被形成在所述鳍的所述表面上，并且所述存储器栅极被布置在所述控制栅极的侧表面上； 源极，所述源极被形成在位于分离栅极结构的一个侧表面上的所述鳍中，所述分离栅极结构由所述控制栅极和所述存储器栅极来配置； 漏极，所述漏极被形成在位于所述分离栅极结构的另一侧表面上的所述鳍中； 第一沟道形成层，所述第一沟道形成层被形成在所述控制栅极正下方的所述鳍中，并且由p型半导体层形成；以及 第二沟道形成层，所述第二沟道形成层被形成在所述存储器栅极下方的所述鳍中，并且由n型半导体层形成。
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