三星电子株式会社梁在完获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112786582B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011164681.7,技术领域涉及:H10D89/10;该发明授权半导体装置及其制造方法是由梁在完;金旴泰;金亨沃;朴尚度;西门浚设计研发完成,并于2020-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了:公开了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述方法包括:对标准单元进行布局;调整电源通路图案的尺寸,以使所述电源通路图案的宽度不同于其他通路图案的宽度;和将不同的设计规则分别应用于所述电源通路图案和所述其他通路图案,以对所述标准单元执行布线操作。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种制造半导体装置的方法,所述方法包括: 对标准单元进行布局,其中,所述标准单元包括: 第一下互连图案、第二下互连图案和下电源图案; 第一上互连图案、第二上互连图案和上电源图案; 第一通路图案,所述第一通路图案位于所述第一下互连图案和所述第一上互连图案之间; 第二通路图案,所述第二通路图案位于所述第二下互连图案和所述第二上互连图案之间,其中,所述第二通路图案的宽度大于所述第一通路图案的宽度;和 第三通路图案,所述第三通路图案位于所述下电源图案和所述上电源图案之间,其中,所述第三通路图案的第一宽度和所述第二通路图案的所述宽度是相同的, 调整所述第三通路图案的尺寸,以使所述第三通路图案的第二宽度不同于所述第二通路图案的所述宽度;和 将不同的设计规则分别应用于所述第二通路图案和所述第三通路图案,以对所述标准单元执行布线操作。
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