美光科技公司V·马奇考乌特森获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112713150B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011117670.3，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法是由V·马奇考乌特森;P·布洛梅;E·卡梅尔伦吉;J·B·德胡特;李健;R·L·迈耶;P·泰萨里欧设计研发完成，并于2020-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括横向隔开的存储器块，所述横向隔开的存储器块个别地包括垂直堆叠，所述垂直堆叠包括交替的绝缘层面及导电层面。存储器单元的可操作通道材料串延伸穿过所述绝缘层面及所述导电层面。所述存储器块中的第一虚设支柱延伸穿过所述通道材料串所延伸穿过的所述绝缘层面及所述导电层面中的至少大多数。第二虚设支柱横向地位于紧密横向相邻的所述存储器块之间且沿着紧密横向相邻的所述存储器块纵向隔开。所述第二虚设支柱延伸穿过所述可操作通道材料串横向地在所述紧密横向相邻的存储器块之间所延伸穿过的所述绝缘层面及所述导电层面中的至少大多数。揭示其它实施例，包含方法。
本发明授权存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括： 形成包括垂直交替的第一层面及第二层面的堆叠，所述第一层面个别地包括空隙空间，个别纵向对准的虚设支柱开口延伸穿过所述第二层面； 通过使导电材料或其一或多种前体流过所述虚设支柱开口进入所述第一层面的所述空隙空间来在所述第一层面的所述空隙空间中形成导电材料，所述导电材料在个别的所述虚设支柱开口中沿着所述第二层面竖向延伸； 在所述导电材料的所述形成之后，在个别的所述虚设支柱开口中竖向地沿着所述第二层面移除所述导电材料； 在所述移除之后，在个别的所述虚设支柱开口中形成虚设支柱；及 形成延伸穿过所述第二层面及所述第一层面的存储器单元的可操作通道材料串。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励