三星电子株式会社孙昌佑获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利形成集成电路器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112652580B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011071412.6，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权形成集成电路器件的方法是由孙昌佑;宋昇炫;金善培;吴旼哲;郑荣采设计研发完成，并于2020-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成集成电路器件的方法在说明书摘要公布了：本公开提供了形成集成电路器件的方法。所述方法可以包括：形成基板的虚设沟道区域和有源区域；在有源区域上形成底部源极漏极区域；在虚设沟道区域的相对的侧表面上形成栅电极；以及分别在虚设沟道区域的相对的侧表面上形成第一间隔物和第二间隔物。栅电极可以包括在虚设沟道区域的相对的侧表面中的一个上的第一部分以及在底部源极漏极区域和第一间隔物之间的第二部分。所述方法还可以包括通过用导电材料置换栅电极的第一部分而形成底部源极漏极接触。底部源极漏极接触可以将栅电极的第二部分电连接到底部源极漏极区域。
本发明授权形成集成电路器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成集成电路器件的方法，所述方法包括： 形成基板的虚设沟道区域和有源区域； 在所述有源区域上形成底部源极漏极区域； 在所述虚设沟道区域的相对的侧表面上形成栅电极； 分别在所述虚设沟道区域的所述相对的侧表面上形成第一间隔物和第二间隔物，其中所述栅电极包括在所述虚设沟道区域的所述相对的侧表面中的一个上的第一部分以及在所述底部源极漏极区域和所述第一间隔物之间的第二部分；以及 通过用导电材料置换所述栅电极的所述第一部分而形成底部源极漏极接触，其中所述底部源极漏极接触将所述栅电极的所述第二部分电连接到所述底部源极漏极区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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