东京毅力科创株式会社胜沼隆幸获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利蚀刻方法、等离子体处理装置和基片处理系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112509920B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010914258.8，技术领域涉及：H10P50/28；该发明授权蚀刻方法、等离子体处理装置和基片处理系统是由胜沼隆幸;本田昌伸;中根由太;石川慎也设计研发完成，并于2020-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻方法、等离子体处理装置和基片处理系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种利用容易与有机膜一起被去除的保护膜，来抑制因有机膜的等离子体蚀刻而导致的弓形歪曲的发生的蚀刻方法、等离子体处理装置和基片处理系统。在一个例示的实施方式中，提供了一种蚀刻方法。蚀刻方法包括对有机膜执行等离子体蚀刻的步骤a。在有机膜上形成有掩模。通过等离子体蚀刻在有机膜形成凹部。蚀刻方法还包括在划分出凹部的有机膜的侧壁面上形成有机保护膜。蚀刻方法还包括在步骤b之后执行对有机膜的进一步等离子体蚀刻的步骤c。
本发明授权蚀刻方法、等离子体处理装置和基片处理系统在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻方法，其特征在于，包括： 步骤a，对基片的有机膜执行等离子体蚀刻，其中，在该有机膜上形成有掩模，通过该等离子体蚀刻在所述有机膜形成凹部； 步骤b，在划分出所述凹部的所述有机膜的侧壁面上形成有机保护膜；和 步骤c，在所述步骤b之后，执行对所述有机膜的进一步等离子体蚀刻， 所述步骤b包括： 步骤b1，向所述基片供给包含第一有机化合物的第一前体气体，并使所述第一有机化合物吸附于所述基片的表面，其中，所述第一有机化合物包括选自异氰酸酯、羧酸、羧酸卤化物、羧酸酐、环氧化物中的一种有机化合物；和 步骤b2，向所述基片供给包含第二有机化合物的第二前体气体，并使所述第二有机化合物与所述第一有机化合物聚合，来生成构成所述有机保护膜的有机化合物。
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