三星电子株式会社孙荣晥获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利垂直非易失性存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447736B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010534661.8，技术领域涉及：H10B41/10；该发明授权垂直非易失性存储器装置是由孙荣晥;李昇原;姜书求;林周永;韩智勋设计研发完成，并于2020-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直非易失性存储器装置在说明书摘要公布了：提供了一种垂直非易失性存储器装置。所述垂直非易失性存储器装置包括：沟道，位于基底上并且在与基底的上表面垂直的第一方向上延伸；第一电荷存储结构，位于沟道的外侧壁上；第二电荷存储结构，位于沟道的内侧壁上；第一栅电极，在基底上沿第一方向彼此分隔开，每个第一栅电极围绕第一电荷存储结构；以及第二栅电极，位于第二电荷存储结构的内侧壁上。
本发明授权垂直非易失性存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种垂直非易失性存储器装置，所述垂直非易失性存储器装置包括： 沟道，位于基底上，沟道在与基底的上表面垂直的第一方向上延伸； 第一电荷存储结构，位于沟道的外侧壁上； 第二电荷存储结构，位于沟道的内侧壁上； 第一栅电极，在基底上沿第一方向彼此分隔开，每个第一栅电极围绕第一电荷存储结构；以及 第二栅电极，位于第二电荷存储结构的内侧壁上， 其中，沟道在平面图中具有环形形状，并且 第二栅电极在平面图中设置在沟道的环形形状内部并被沟道完全环绕。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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