买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利电荷平衡功率器件以及用于制造电荷平衡功率器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310194B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010756416.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权电荷平衡功率器件以及用于制造电荷平衡功率器件的方法是由A·桑坦格罗;G·郎戈;L·伦纳设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本电荷平衡功率器件以及用于制造电荷平衡功率器件的方法在说明书摘要公布了：本公开的各实施例涉及电荷平衡功率器件以及用于制造电荷平衡功率器件的方法。一种电荷平衡功率器件，包括具有第一导电类型的半导体主体。沟槽栅极在半导体主体中从第一表面朝向第二表面延伸。主体区域具有与第一导电类型相反的第二导电类型，并且主体区域面对半导体主体的第一表面并且在沟槽栅极的第一侧和第二侧上延伸。具有第一导电类型的源极区域在主体区域中延伸并且面对半导体主体的第一表面。漏极端子在半导体主体的第二表面上延伸。器件还包括具有第二导电性的第一柱状区域和第二柱状区域，该第一柱状区域和第二柱状区域在半导体主体中与沟槽栅极的第一侧和第二侧相邻地延伸，并且第一柱状区域和第二柱状区域与该主体区域间隔开，并且与漏极端子间隔开。

本发明授权电荷平衡功率器件以及用于制造电荷平衡功率器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种电荷平衡功率器件，包括： 半导体主体，具有第一导电类型，所述半导体主体具有沿第一方向彼此相对的第一表面和第二表面； 沟槽栅极，在所述半导体主体中从所述第一表面向所述第二表面延伸； 主体区域，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述主体区域面对所述半导体主体的所述第一表面，并且在所述沟槽栅极的第一侧和第二侧上延伸，所述第一侧和所述第二侧沿横向于所述第一方向的第二方向彼此相对； 源极区域，具有所述第一导电类型，在所述主体区域中延伸、并且面对所述第一表面； 漏极端子，在所述半导体主体的所述第二表面上延伸；以及 第一柱状区域和第二柱状区域，具有所述第二导电类型，并且分别与所述沟槽栅极的所述第一侧和所述第二侧相邻地在所述半导体主体中延伸，所述第一柱状区域和第二柱状区域与所述主体区域间隔开，并且与所述漏极端子间隔开，所述第一柱状区域和所述第二柱状区域与所述主体区域电断开， 其中所述第一柱状区域和所述第二柱状区域通过所述沟槽栅极的栅极电介质层与所述沟槽栅极的栅极导电区域分离， 其中所述栅极导电区域沿着所述第一方向，从所述半导体主体的所述第一表面朝向所述第二表面延伸到所述半导体主体中的第一深度，所述第一柱状区域和所述第二柱状区域沿所述第一方向从所述半导体主体中的第二深度延伸，所述第二深度大于所述第一深度，并且 其中所述漏极端子包括半导体材料的衬底和漏极金属化，所述衬底具有所述第一导电类型，与所述半导体主体的所述第二表面接触地延伸，所述漏极金属化与所述衬底电接触地延伸，其中所述沟槽栅极完全穿过所述半导体主体、并且终止在所述衬底内。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体股份有限公司，其通讯地址为：意大利阿格拉布里安扎；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。