朗姆研究公司希瓦南达·K·卡纳卡萨巴保蒂获国家专利权
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龙图腾网获悉朗姆研究公司申请的专利无倒角通孔集成方案获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111886689B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980020786.4，技术领域涉及：H10W20/45；该发明授权无倒角通孔集成方案是由希瓦南达·K·卡纳卡萨巴保蒂;吴晖荣;理查德·怀斯;阿潘·马霍罗瓦拉设计研发完成，并于2019-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本无倒角通孔集成方案在说明书摘要公布了：本发明提供了用于以集成方案处理半导体衬底以形成无倒角通孔的方法和装置。方法包括通过沉积保形的能去除的密封剂层来分叉蚀刻电介质，该保形的能去除的密封剂层具有相对于介电材料选择性去除的特性而不会损坏介电材料。一些方法包括形成可灰化的保形密封剂层。方法还包括形成包括IV族金属的硬掩模，并在一次操作中使用相同的蚀刻化学物质去除保形的能去除的密封剂层和硬掩模。
本发明授权无倒角通孔集成方案在权利要求书中公布了：1.一种处理半导体衬底的方法，其包括： 提供衬底，该衬底具有在介电材料中形成的沟槽； 在所述沟槽中保形地沉积能去除的密封剂层， 其中所述能去除的密封剂层包含IV族金属； 在所述能去除的密封剂层上形成图案化硬掩模； 使用所述图案化硬掩模蚀刻所述介电材料；以及 去除所述图案化硬掩模和所述能去除的密封剂层，以产生无倒角通孔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人朗姆研究公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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