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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利具有鳍型有源区的半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111384049B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911191687.0，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权具有鳍型有源区的半导体装置及其制造方法是由郑钟基;郑载勋;安灿根;李润锡;洪秀宪设计研发完成，并于2019-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有鳍型有源区的半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置包括衬底的第一区中的第一鳍型图案。第一鳍型图案包括具有由第一沟槽限定的对应的侧壁的多个间隔开的鳍。提供了与第一鳍型图案交叉的第一栅极结构。第二鳍型图案设置在衬底的第二区中。第二鳍型图案包括具有由第二沟槽限定的侧壁的鳍。提供了与第二鳍型图案交叉的第二栅极结构。场绝缘膜填充第一沟槽的至少一部分以及第二沟槽的至少一部分。场绝缘膜具有第一上表面和第二上表面，第一上表面与第一鳍型图案的至少一个侧壁接触并且与第一沟槽的底部间隔开第一高度，第二上表面与第二鳍型图案的侧壁接触并且与第二沟槽的底部间隔开与第一高度不同的第二高度。

本发明授权具有鳍型有源区的半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 第一鳍型图案，其位于衬底的第一区中，所述第一鳍型图案包括在第一方向上延伸并且具有由所述衬底中的第一沟槽限定的各个侧壁的多个间隔开的鳍； 第一栅极结构，其与所述第一鳍型图案交叉，并且在第二方向上延伸； 第二鳍型图案，其位于所述衬底的第二区中，所述第二鳍型图案包括在第三方向上延伸并且具有由所述衬底中的第二沟槽限定的侧壁的鳍； 第二栅极结构，其与所述第二鳍型图案交叉，并且在第四方向上延伸； 场绝缘膜，其填充所述第一沟槽的至少一部分和所述第二沟槽的至少一部分，所述场绝缘膜具有第一上表面和第二上表面，所述第一上表面与所述第一鳍型图案的至少一个侧壁接触并且与所述第一沟槽的底部间隔开第一高度，所述第二上表面与所述第二鳍型图案的侧壁接触并且与所述第二沟槽的底部间隔开与所述第一高度不同的第二高度，所述场绝缘膜暴露所述第二鳍型图案的侧壁的上部； 第一外延图案，其在所述多个间隔开的鳍的对应的鳍上延伸，并且至少部分地合并在一起成为单一外延图案；以及 第二外延图案，其位于所述第二鳍型图案上， 其中，所述第二外延图案覆盖所述第二鳍型图案的侧壁的上部。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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