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龙图腾网获悉苏州达晶半导体有限公司申请的专利低损耗功率MOS器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223772420U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423227952.5，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型低损耗功率MOS器件是由田伟;廖兵设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本低损耗功率MOS器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种低损耗功率MOS器件，包括：位于硅片上部的P型基极区和位于硅片下部的重掺杂N型漏极区，P型基极区和重掺杂N型漏极区之间设置有N型外延区；栅极部的中部具有一外凸部，在竖直方向上所述外凸部的上端面位于重掺杂N型源极区下表面与P型基极区下表面之间，所述外凸部的下端面位于P型基极区的下方；重掺杂N型源极区远离第一沟槽的一侧具有一第二沟槽，此第二沟槽由P型基极区上表面延伸至N型外延区内，所述第二沟槽内填充有所述上金属层。本实用新型低损耗功率MOS器件既降低了MOS器件在高频开启和截至切换的使用状态下的功率损耗，也有利于显著降低MOS器件正向导通时电阻，从而降低了器件正常工作时候的损耗。

本实用新型低损耗功率MOS器件在权利要求书中公布了：1.一种低损耗功率MOS器件，其特征在于：包括：位于硅片1上部的P型基极区2和位于硅片1下部的重掺杂N型漏极区3，所述P型基极区2和重掺杂N型漏极区3之间设置有N型外延区4； 一位于P型基极区2中第一沟槽5由P型基极区2上表面延伸至N型外延区4内，一绝缘介质层6覆盖于第一沟槽5上表面并延伸至第一沟槽5周边区域；一上金属层7覆盖于P型基极区2和绝缘介质层6上表面，一下金属层8位于重掺杂N型漏极区3与N型外延区4相背的表面； 所述P型基极区2上部内且位于第一沟槽5的周边具有重掺杂N型源极区12，所述第一沟槽5内具有栅极部9，所述栅极部9与第一沟槽5之间填充有栅氧化层10； 所述栅极部9的中部具有一外凸部11，在竖直方向上所述外凸部11的上端面位于重掺杂N型源极区12下表面与P型基极区2下表面之间，所述外凸部11的下端面位于P型基极区2的下方；所述重掺杂N型源极区12远离第一沟槽5的一侧具有一第二沟槽13，此第二沟槽13由P型基极区2上表面延伸至N型外延区4内，所述第二沟槽13内填充有所述上金属层7。

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