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上海新相微电子股份有限公司肖宏获国家专利权

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龙图腾网获悉上海新相微电子股份有限公司申请的专利一种显示驱动芯片新型高压电荷泵获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223771942U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520133975.5,技术领域涉及:H02M3/07;该实用新型一种显示驱动芯片新型高压电荷泵是由肖宏;刘铎;程玟豪设计研发完成,并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

一种显示驱动芯片新型高压电荷泵在说明书摘要公布了:本实用新型提供一种显示驱动芯片新型高压电荷泵,其提供三倍率电荷,其特征在于,包括第一PMOS开关M11、第三PMOS开关M33、第五PMOS开关M55、第七PMOS开关M77、第二NMOS开关M22、第四NMOS开关M44、第六PMOS开关M66、第八NMOS开关M88以及飞线电容,所述第一PMOS开关M11漏极连接电源VSP,源级连接飞线电容9上极板C1,栅极连接第一时序信号CLK1。本实用新型结构简单,以较小面积提供三倍率电荷,且可以根据具体需要进行级联扩展提供更多倍率电荷。

本实用新型一种显示驱动芯片新型高压电荷泵在权利要求书中公布了:1.一种显示驱动芯片新型高压电荷泵,其提供三倍率电源升压,其特征在于,包括第一PMOS开关M11、第三PMOS开关M33、第五PMOS开关M55、第七PMOS开关M77、第二NMOS开关M22、第四NMOS开关M44、第六PMOS开关M66、第八NMOS开关M88以及飞线电容, 其中,所述第一PMOS开关M11漏极连接电源VSP,源级连接飞线电容9上极板C1,栅极连接第一时序信号CLK1;第二NMOS开关M22源级连接电源VSN,栅极连接第二时序信号CLK2;第三PMOS开关M33漏极连接电源地,栅极连接第三时序信号CLK3;第四NMOS开关M44的漏极连接所述飞线电容9下极板C2,栅极连接第四时序信号CLK4;其中所述第二NMOS开关M22的漏极、所述第三PMOS开关M33的源级以及所述第四NMOS开关M44的源级在第一连接点X连接;第五PMOS开关M55漏极连接C1,源级连接所述电荷泵的输出端VOUT,栅极连接第五时序信号CLK5;第六PMOS开关M66漏极连接C2,栅极连接第六时序信号CLK6;第七PMOS开关M77源级连接电源VSP,栅极连接第七时序信号CLK7;第八NMOS开关M88漏级连接电源地,栅极连接第八时序信号CLK8;所述第六PMOS开关M66的源级、所述第七PMOS开关M77的漏极以及所述第八NMOS开关M88的源极在第二连接点Y连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人上海新相微电子股份有限公司,其通讯地址为:200233 上海市徐汇区苍梧路10号3层;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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