深圳市广能达半导体科技有限公司李昌超获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市广能达半导体科技有限公司申请的专利一种灌胶散热结构和射频电源获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223770914U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520124581.3，技术领域涉及：H01F27/22；该实用新型一种灌胶散热结构和射频电源是由李昌超;邓顶阳;张振伟设计研发完成，并于2025-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种灌胶散热结构和射频电源在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种灌胶散热结构和射频电源，灌胶散热结构包括底座、两个挡胶板和导热封装层，两个挡胶板分别设置在底座的左右两侧，且两个挡胶板和底座围设形成有用于放置变压器模组的容置腔；导热封装层位于容置腔内，且导热封装层包绕变压器模组的至少一部分。这样设计，通过将变压器模组、底座、挡胶板和导热封装层结合在一起，形成一个整体封装单元，导热封装层通过其内含的高导热填料，能够快速地将变压器模组产生的热量传导出去，避免热量在发热元件内部积聚，其次，导热封装层包绕变压器模组的至少一部分，能够将变压器模组产生的热量均匀分散至整个导热封装层，防止局部过热现象。
本实用新型一种灌胶散热结构和射频电源在权利要求书中公布了：1.一种灌胶散热结构，其特征在于，包括： 底座1； 两个挡胶板2，两个所述挡胶板2分别设置在所述底座1的左右两侧，且两个所述挡胶板2和所述底座1围设形成有用于放置变压器模组3的容置腔； 导热封装层，所述导热封装层位于所述容置腔内，且所述导热封装层包绕所述变压器模组3的至少一部分。
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