天津理工大学杨正春获国家专利权
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龙图腾网获悉天津理工大学申请的专利一种基于双线圈的晶圆电阻率及表面薄膜厚度检测设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223770289U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423311606.5，技术领域涉及：G01R27/02；该实用新型一种基于双线圈的晶圆电阻率及表面薄膜厚度检测设备是由杨正春;蒋文龙;曲子濂设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于双线圈的晶圆电阻率及表面薄膜厚度检测设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种基于双线圈的晶圆电阻率及表面薄膜厚度检测设备，该设备将低频电感线圈和高频电感线圈集成在探头上，通过低频线圈实时检测晶圆电阻率和晶圆表面金属薄膜厚度，而高频线圈实时检测LOD值，进而可以根据LOD值对测得的晶圆电阻率和晶圆表面金属薄膜厚度进行修正。该设备能够在不使用高精度定位系统的条件下明显提高电感法电阻率检测的精度，大幅降低晶圆电阻率检测设备的成本。
本实用新型一种基于双线圈的晶圆电阻率及表面薄膜厚度检测设备在权利要求书中公布了：1.一种基于双线圈的晶圆电阻率及表面薄膜厚度检测设备，其特征在于：包括XY两轴工作台以及安装在该XY两轴工作台上的检测探头，通过XY两轴工作台控制检测探头在XY平面的检测位置； 所述检测探头包括低频线圈、高频线圈、电子灌封胶和外壳，所述低频线圈和高频线圈均嵌设在外壳内部，高频线圈位于低频线圈的圆心位置，二者同轴布置，并且低频线圈的底面和高频线圈的底面处于同一水平面；外壳的内部填充电子灌封胶，固定低频线圈和高频线圈的位置。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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