苏州法特迪科技股份有限公司吴陈丹青获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州法特迪科技股份有限公司申请的专利一种用于测试芯片的插座结构及芯片老化测试装置获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223770250U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423287183.8,技术领域涉及:G01R1/04;该实用新型一种用于测试芯片的插座结构及芯片老化测试装置是由吴陈丹青;章圣达;吴俊超;金永斌;王强;贺涛;丁宁;朱伟设计研发完成,并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于测试芯片的插座结构及芯片老化测试装置在说明书摘要公布了:本实用新型涉及一种用于测试芯片的插座结构及芯片老化测试装置,包括:支撑部和多个信号针,所述支撑部包括绝缘块和绝缘薄膜,所述绝缘块的表面贯穿设置有多个接地孔和多个信号孔,所述接地孔的内壁设置有第一电镀层,所述绝缘块在所述接地孔和信号孔的端口的两侧设置所述绝缘薄膜;多个所述信号针分别穿设在所述接地孔和信号孔内部,且所述信号针的两端均穿过所述绝缘薄膜设置。本实用新型通过在接地孔内设置的电镀层,可以降低整个插座的接触电阻、提升屏蔽效果和导电性,进一步增强接地性能;其次通过顶部和底部的绝缘薄膜可以防止电源噪声通过电磁耦合泄漏到外部,提升电源传输网络的稳定性。
本实用新型一种用于测试芯片的插座结构及芯片老化测试装置在权利要求书中公布了:1.一种用于测试芯片的插座结构,其特征在于,包括: 支撑部,所述支撑部包括绝缘块和绝缘薄膜,所述绝缘块的表面贯穿设置有多个接地孔和多个信号孔,所述接地孔的内壁设置有第一电镀层,所述绝缘块在所述接地孔和信号孔的端口的两侧设置所述绝缘薄膜; 多个信号针,多个所述信号针分别穿设在所述接地孔和信号孔内部,且所述信号针的两端均穿过所述绝缘薄膜设置。
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