上海芯之翼半导体材料有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉上海芯之翼半导体材料有限公司申请的专利真空门阀密封结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223768255U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520012317.0,技术领域涉及:F16K51/02;该实用新型真空门阀密封结构是由请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成,并于2025-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本真空门阀密封结构在说明书摘要公布了:本实用新型涉及半导体领域,本实用新型公开了一种真空门阀密封结构,具有金属基件和形成在金属基件上的沟槽,密封圈布置在沟槽中,密封圈两侧形成有延伸部;固定连接通孔沿着沟槽长度方向均匀的形成在延伸部上;金属连接件穿过固定连接通孔,下部固定连接在沟槽底壁处金属基件上,上部用于向延伸部施加朝向金属基件的压力;金属连接件顶壁所在平面低于或持平于沟槽开口所在平面,密封圈至少部分凸出沟槽开口所在平面,且密封圈凸出的部分高于金属连接件顶壁所在平面。本实用新型密封圈不易脱落、使用寿命长,生产成型时不易脱胶,良率高,能降低生产成本。
本实用新型真空门阀密封结构在权利要求书中公布了:1.一种真空门阀密封结构,其具有金属基件1和形成在金属基件1上的沟槽2,密封圈3布置在沟槽2中,其特征在于: 密封圈3两侧形成有延伸部4; 固定连接通孔5沿着沟槽2长度方向均匀的形成在延伸部4上; 金属连接件6,其穿过固定连接通孔5,其下部固定连接在沟槽2底壁处金属基件1上,其上部用于向延伸部4施加朝向金属基件1的压力; 其中,金属连接件6顶壁所在平面低于或持平于沟槽2开口所在平面,密封圈3至少部分凸出沟槽2开口所在平面,且密封圈3凸出的部分高于金属连接件6顶壁所在平面。
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