荣芯半导体(宁波)有限公司肖莉红获国家专利权
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龙图腾网获悉荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038369B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511556254.6，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由肖莉红设计研发完成，并于2025-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；形成在半导体衬底中的有源区，有源区包括沿第一方向间隔设置的源区和漏区，漏区中形成有第一掺杂类型的重掺杂阱区；嵌入重掺杂阱区中的多个介质层，重掺杂阱区与介质层构成第一电阻层，静电释放电流通过电阻层注入漏区，由源区流出；形成在半导体衬底上的栅极，栅极设置在源区与漏区之间，并且栅极沿第二方向延伸。本发明能够有效延长大电流的泄放通路的长度，在提高ESD自保护能力的同时，提高半导体器件的可靠性。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括： 半导体衬底； 形成在所述半导体衬底中的有源区，所述有源区包括沿第一方向间隔设置的源区和漏区，所述漏区中形成有第一掺杂类型的重掺杂阱区； 嵌入所述重掺杂阱区中的多个介质层，所述重掺杂阱区与所述介质层构成第一电阻层，静电释放电流通过所述电阻层注入所述漏区，由所述源区流出； 形成在所述半导体衬底上的栅极，所述栅极设置在所述源区与所述漏区之间，并且所述栅极沿第二方向延伸。
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