季华实验室徐秀兰获国家专利权
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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利一种人形机器人执行器用磁码盘材料及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121001554B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511516152.1，技术领域涉及：H10N50/85；该发明授权一种人形机器人执行器用磁码盘材料及其制备方法与应用是由徐秀兰;马旭杰;赵荻;胡汪洋;单欣;黄意雅;于广华设计研发完成，并于2025-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种人形机器人执行器用磁码盘材料及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及磁码盘材料技术领域，具体公开了一种人形机器人执行器用磁码盘材料及其制备方法与应用，其中，人形机器人执行器用磁码盘材料包括依次层叠设置的基底、Bi层、AlNiFeCo薄膜、Nb层以及Ta层。本发明提供的新型结构设计，引入Bi层和Nb层双插层包覆结构，两者协同作用于AlNiFeCo薄膜，满足高精度磁编码器码盘材料对高矫顽力和高剩磁的应用需求，同时，元素扩散是弥散的钉扎网络分布，有利于码盘写磁时获得均匀一致的高质量弦波信号输出性能；本发明制备的磁码盘材料适用于高性能、高均匀性磁码盘材料制备和高精度、小型化磁编码器技术中，在人形机器人执行器中具有很好的应用前景。
本发明授权一种人形机器人执行器用磁码盘材料及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种人形机器人执行器用磁码盘材料的制备方法，其特征在于，包括步骤： 以Bi为靶材采用磁控溅射法在基底表面沉积Bi层，Bi层的厚度为8-15nm； 以AlNiFeCo为靶材采用磁控溅射法在所述Bi层表面沉积AlNiFeCo薄膜，AlNiFeCo薄膜的厚度为50-100nm； 以Nb为靶材采用磁控溅射法在所述AlNiFeCo薄膜表面沉积Nb层，Nb层的厚度为14-18nm； 以Ta为靶材采用磁控溅射法在所述Nb层表面沉积Ta层，Ta层的厚度为5-10nm，得到复合层材料； 对所述复合层材料进行真空退火处理，其中，退火温度为740-760℃，退火时间为25-35min，退火真空度为1×10-5-5×10-5Pa，制得所述人形机器人执行器用磁码盘材料。
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