季华实验室郭嘉杰获国家专利权
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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利一种P型碳化硅外延片的掺杂浓度均匀性提高方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120989711B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511506273.8，技术领域涉及：C30B25/20；该发明授权一种P型碳化硅外延片的掺杂浓度均匀性提高方法是由郭嘉杰;盛飞龙;张南;毛朝斌设计研发完成，并于2025-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种P型碳化硅外延片的掺杂浓度均匀性提高方法在说明书摘要公布了：本申请属于碳化硅外延生长技术领域，公开了一种P型碳化硅外延片的掺杂浓度均匀性提高方法，该方法包括：向反应室通入预设流量的氢气后，将碳化硅衬底放置于反应室中，保持氢气的输入流量不变，分别将反应室的温度和压力调节至预设的刻蚀温度和预设的刻蚀压力，以对碳化硅衬底的表面进行刻蚀，得到表面刻蚀后的碳化硅衬底，将乙烯气体和三氯氢硅气体经分层匀气盒的下通道输入反应室，将三甲基铝气体经分层匀气盒的上通道输入反应室，以促进表面刻蚀后的碳化硅衬底生长外延层，制备得到掺杂浓度均匀的P型碳化硅外延片；通过分层匀气盒分开输入反应气体，制备得到掺杂浓度均匀的P型碳化硅外延片，提高了P型碳化硅外延片的掺杂浓度均匀性。
本发明授权一种P型碳化硅外延片的掺杂浓度均匀性提高方法在权利要求书中公布了：1.一种P型碳化硅外延片的掺杂浓度均匀性提高方法，利用分层匀气盒以制备掺杂浓度均匀的P型碳化硅外延片，其特征在于，所述分层匀气盒包括匀气盒以及设置在所述匀气盒内部的上通道和下通道；所述P型碳化硅外延片的掺杂浓度均匀性提高方法包括： 对外延炉的反应室进行抽真空操作； 向所述反应室通入预设流量的氢气后，将碳化硅衬底放置于所述反应室中； 保持所述氢气的输入流量不变，分别将所述反应室的温度和压力调节至预设的刻蚀温度和预设的刻蚀压力，以对所述碳化硅衬底的表面进行刻蚀，得到表面刻蚀后的碳化硅衬底； 将乙烯气体和三氯氢硅气体经所述分层匀气盒的下通道输入所述反应室，将三甲基铝气体经所述分层匀气盒的上通道输入所述反应室，以促进所述表面刻蚀后的碳化硅衬底生长外延层，制备得到掺杂浓度均匀的P型碳化硅外延片。
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