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龙图腾网获悉创视半导体(杭州)有限公司申请的专利一种像素单元结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120957507B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511475449.8，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权一种像素单元结构及制备方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种像素单元结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种像素单元结构及制备方法；涉及图像传感器技术领域；由PD区域将内部的电子传输至FD区域；第一P型离子区域用于改变PD区域内部的电势趋势；第一P型离子区域设置在PD区域周围；第二P型离子区域用于分隔PD区域并改变PD区域内部的电势趋势；第二P型离子区域从第一P型离子区域起延伸进入PD区域内；本方案在传统像素单元结构基础上进行改进，通过增加和第二P型离子区域来改变PD区域内部的电势趋势，促进PD区域内的电子易于传输；第二P型离子区域还对PD区域分隔，降低PD区域下侧的离子浓度，改变PD区域竖直方向上的电势趋势，使PD区域下侧的电子更容易传输，进一步提高电子传输效率。

本发明授权一种像素单元结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种像素单元结构，其特征在于，包括： FD区域4和PD区域1，所述PD区域1将内部的电子传输至FD区域4； 第一P型离子区域2，用于隔离PD区域1；所述第一P型离子区域2设置在PD区域1周围； 第二P型离子区域3，用于分隔PD区域1并改变PD区域1内部的电势趋势；所述第二P型离子区域3从第一P型离子区域2起延伸进入PD区域1内； 所述PD区域1包括深n型区域11和浅n型区域12； 所述深n型区域11和浅n型区域12均为长方体结构；浅n型区域12的长、宽和高分别小于深n型区域11的长、宽和高； 所述浅n型区域12叠加在深n型区域11的上方，且浅n型区域12的几何中心与深n型区域11的几何中心在同一条直线上； 第二P型离子区域3与第一P型离子区域2相连接，对深n型区域11进行部分分割，减小PD区域下侧n型浓度，使PD区下侧电子浓度从左往右依次增大，形成电势差，使得下侧的电子更容易传输出去。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人创视半导体(杭州)有限公司，其通讯地址为：311202 浙江省杭州市萧山区萧山经济技术开发区明星路371号2幢1208室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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