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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种5KV高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120957450B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511484046.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种5KV高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法是由何佳;杨绍明;胡惠娜;张瑜洁设计研发完成，并于2025-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种5KV高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种5KV高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：淀积金属，形成漏极金属层；外延生长，形成缓冲层及漂移层；在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型区；外延生长，形成外延层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P+区、P型阱区、N型区、P型屏蔽层及N型源区；刻蚀外延层、掩蔽层以及N型区，形成凹槽以及凸起部，之后氧化形成绝缘介质层，所述绝缘介质层内设有沟槽；淀积金属，形成栅极金属层；刻蚀N型源区及P+区，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备；通过构建L型栅控结构，形成漏极到源极的多层P型保保护结构，实现了对源极和栅极的保护，双导电通道保证了器件的低阻特性。

本发明授权一种5KV高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种5KV高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成缓冲层； 步骤2、在缓冲层上外延生长，形成漂移层； 步骤3、在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成P型区； 步骤4、去除步骤3的阻挡层，在漂移层上外延生长，形成外延层； 步骤5、在外延层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成P+区； 步骤6、离子注入形成P型阱区； 步骤7、离子注入，形成N型区； 步骤8、离子注入，形成P型屏蔽层； 步骤9、离子注入形成N型源区； 步骤10、刻蚀外延层、掩蔽层以及N型区，形成凹槽以及凸起部，之后氧化形成绝缘介质层，所述绝缘介质层内设有沟槽； 步骤11、在所述沟槽内淀积金属，形成栅极金属层； 步骤12、刻蚀N型源区及P+区，之后淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备； 在步骤6至12之前，均需去除上一步的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔； 所述漂移层上设有凸起部；所述P型区下侧面连接至所述缓冲层上侧面，所述P型区内侧面连接至所述漂移层外侧面；所述P+区下侧面连接至所述P型区上侧面；所述P型阱区下侧面连接至漂移层上侧面，所述P型阱区内侧面连接至所述凸起部外侧面；所述N型区外侧面连接至P+区，所述N型区下侧面连接至P型阱区；所述屏蔽层连接至N型区；所述N型源区下侧面连接N型区以及屏蔽层，N型源区外侧面连接至P+区；所述绝缘介质层下侧面分别连接屏蔽层、N型区、P型阱区以及凸起部上侧面。

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