买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种4.5kV超结沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120957449B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511470418.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种4.5kV超结沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法是由何佳;杨绍明;胡惠娜;张瑜洁设计研发完成，并于2025-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种4.5kV超结沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种4.5kV超结沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入形成P型区；去除阻挡层，在漂移层上延生长，形成外延层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入形成P+区、P型屏蔽层、N型低阻区、P型阱区及N型源区；刻蚀外延层形成凹槽，并氧化凹槽形成绝缘介质层，所述绝缘介质层内设有沟槽；淀积金属，形成栅极金属层；刻蚀外延层，之后淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备；通过对器件上下两层的超结沟槽栅结构，在保证器件低导通电阻的提高器件耐压至4.5kV。

本发明授权一种4.5kV超结沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种4.5kV超结沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层； 步骤2、在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入形成P型区； 步骤3、去除步骤2的阻挡层，在漂移层上外延生长，形成外延层； 步骤4、在外延层上形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入形成P+区； 步骤5、离子注入，形成P型屏蔽层； 步骤6、离子注入，形成N型低阻区； 步骤7、离子注入形成P型阱区； 步骤8、离子注入形成N型源区； 步骤9、刻蚀外延层形成凹槽，并氧化凹槽形成绝缘介质层，所述绝缘介质层内设有沟槽； 步骤10、淀积金属，形成栅极金属层； 步骤11、刻蚀外延层，之后淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备； 在步骤5、6、9至11之前，均需要去除上一步骤的阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔； 所述P+区下侧面连接至P型区； 所述低阻区下侧面连接至漂移层，所述低阻区外侧面连接至所述P+区内侧面； 所述屏蔽层下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述屏蔽层外侧面连接至所述低阻区内侧面； 所述P型阱区下侧面连接至所述低阻区，所述P型阱区外侧面连接至所述P+区内侧面； 所述N型源区下侧面连接至所述P型阱区上侧面，所述N型源区外侧面连接至所述P+区内侧面； 所述绝缘介质层下侧面连接至屏蔽层，所述绝缘介质层外侧面分别连接所述低阻区内侧面、P型阱区内侧面以及N型源区内侧面；所述绝缘介质层内设有沟槽； 所述栅极金属层设于所述沟槽内。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人泰科天润半导体科技(北京)有限公司，其通讯地址为：101300 北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。