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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种用于2kV以上沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120957448B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511470410.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种用于2kV以上沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法是由何佳;杨绍明;胡惠娜;张瑜洁设计研发完成，并于2025-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于2kV以上沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种用于2kV以上沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成均流层；离子注入，形成第一阱区、屏蔽层、第二阱区及N型源区；刻蚀，之后淀积，形成隔离介质层；刻蚀漂移层形成第二槽体，之后淀积金属，形成肖特基金属层；刻蚀，并氧化形成绝缘介质层，所述绝缘介质层设有沟槽；淀积金属，形成栅极金属层；刻蚀，淀积金属，形成源极金属层，实现器件在2kV以上耐压条件下的小元胞、高电流密度、低导通电阻。

本发明授权一种用于2kV以上沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于2kV以上沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层； 步骤2、在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成均流层； 步骤3、离子注入，形成第一阱区； 步骤4、离子注入，形成屏蔽层，所述均流层包裹所述屏蔽层； 步骤5、离子注入，形成第二阱区，P型阱区包括第一阱区以及第二阱区，所述第二阱区位于所述第一阱区上表面； 步骤6、离子注入，形成N型源区； 步骤7、刻蚀漂移层形成第一槽体，之后淀积，形成隔离介质层； 步骤8、刻蚀漂移层形成第二槽体，之后淀积金属，形成肖特基金属层； 步骤9、刻蚀漂移层及屏蔽层，形成第三凹槽，并氧化形成绝缘介质层，所述绝缘介质层设有沟槽； 步骤10、淀积金属，形成栅极金属层； 步骤11、刻蚀漂移层形成第三槽体，淀积金属，形成源极金属层； 在步骤3至11之前，均需要去除上一步的阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔； 所述隔离介质层下侧面连接至漂移层上侧面； 所述肖特基金属层下侧面连接至漂移层上侧面，所述肖特基金属层外侧面连接至隔离介质层内侧面； 所述P型阱区下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述P型阱区外侧面连接至肖特基金属层内侧面，所述P型阱区内侧面连接至均流层； 所述N型源区下侧面连接至P型阱区上侧面，所述N型源区外侧面连接至所述肖特基金属层内侧面。

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