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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种3kV非对称超结沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120957447B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511470409.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种3kV非对称超结沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法是由何佳;杨绍明;胡惠娜;张瑜洁设计研发完成，并于2025-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种3kV非对称超结沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种3kV非对称超结沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型区；去除阻挡层，在漂移层上外延生长，形成外延层；在外延层上方形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P+区、低阻区、屏蔽层、P型阱区及N型源区；刻蚀，氧化，形成绝缘介质层，所述绝缘介质层内设有沟槽；淀积金属，形成栅极金属层；刻蚀外延层，之后淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备；通过对器件非对称超结元胞的设计，实现器件在3kV耐压条件下的小元胞、高电流密度、低导通电阻。

本发明授权一种3kV非对称超结沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种3kV非对称超结沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：所述碳化硅VDMOS包括：碳化硅衬底、漂移层、P+区、低阻区、屏蔽层、P型阱区、N型源区、绝缘介质层、栅极金属层、源极金属层及漏极金属层；所述P+区内设有凹槽； 所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面； 所述P+区下侧面连接至所述漂移层上侧面以及P型区上侧面； 所述低阻区下侧面连接至漂移层上侧面，所述低阻区一侧面连接至P+区，所述低阻区另一侧面分别连接P+区、屏蔽层一侧面及绝缘介质层一侧面； 所述屏蔽层下侧面连接至低阻区，所述屏蔽层一侧面连接P+区，所述屏蔽层另一侧面连接至低阻区，所述屏蔽层上侧面连接至绝缘介质层下侧面； 所述P型阱区下侧面连接至低阻区上侧面，所述P型阱区一侧面连接P+区，所述P型阱区另一侧面连接绝缘介质层一侧面； 所述N型源区下侧面连接至所述P型阱区上侧面；所述N型源区一侧面连接P+区，所述N型源区另一侧面连接绝缘介质一侧面； 所述绝缘介质层下部设于所述凹槽内，所述绝缘介质层一侧面分别连接低阻区、P型阱区以及N型源区，所述绝缘介质层另一侧面连接至P+区；所述绝缘介质层下侧面分别连接屏蔽层上侧面以及P+区；所述绝缘介质层内设有沟槽； 所述栅极金属层设于所述沟槽内； 所述源极金属层下侧面分别连接P+区上侧面以及N型源区上侧面； 所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面； 所述方法包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层； 步骤2、在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成P型区； 步骤3、去除步骤2的阻挡层，在漂移层上外延生长，形成外延层； 步骤4、在外延层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成P+区； 步骤5、离子注入，形成低阻区； 步骤6、离子注入，形成屏蔽层； 步骤7、离子注入，形成P型阱区； 步骤8、离子注入，形成N型源区； 步骤9、刻蚀外延层以及P+区形成凹槽，氧化凹槽，形成绝缘介质层，所述绝缘介质层内设有沟槽； 步骤10、淀积金属，形成栅极金属层； 步骤11、刻蚀外延层，之后淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备； 在步骤5至11每一步之前，均需要去除上一步骤的阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔。

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