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龙图腾网获悉湖南融创微电子股份有限公司申请的专利宇航芯片抗单粒子效应的评估方法、装置及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120951900B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511489982.X，技术领域涉及：G06F30/3308；该发明授权宇航芯片抗单粒子效应的评估方法、装置及设备是由房盼攀;刘祥远;傅祎晖;张凯;赖善坤设计研发完成，并于2025-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本宇航芯片抗单粒子效应的评估方法、装置及设备在说明书摘要公布了：本发明涉及宇航芯片抗单粒子效应的评估方法、装置及设备，通过将评估过程分为前期设计评估、后期摸底评估以及芯片达标评估三个阶段，定量衡量了宇航芯片抗单粒子效应的能力；同时，前期设计评估阶段的提前评估、后期摸底评估阶段的二次检验以及芯片达标评估阶段的综合对比，明确且闭环评估了芯片抗单粒子性能是否达到入轨标准，极大增强了宇航芯片的风险控制，该评估技术具有普适性高且可操作性强的特点，在避免宇航芯片设计风险的同时提升了宇航芯片的可靠性，可推广应用于航空航天领域。

本发明授权宇航芯片抗单粒子效应的评估方法、装置及设备在权利要求书中公布了：1.一种宇航芯片抗单粒子效应的评估方法，其特征在于，包括步骤： 获取宇航芯片将应用至的卫星轨道的分布及各轨道参数；轨道参数包括轨道高度、轨道倾角、升交点赤经、近地点幅角、离心率和真近点角； 根据卫星轨道的分布及各轨道参数计算不同轨道的LET积分通量谱后，根据不同轨道的LET积分通量谱确定宇航芯片在前期设计评估阶段的抗单粒子效应的阈值上限和阈值下限； 根据卫星轨道的分布及各轨道参数设定轨道卫星的设计寿命后，设置卫星在轨无单粒子事件时长为轨道卫星的设计寿命并确定前期设计评估阶段卫星轨道上宇航芯片发生单粒子效应的软错误率； 获取对宇航芯片进行至少四种不同LET值的单粒子辐照实验后相应得到的至少四个单粒子敏感截面，根据各单粒子敏感截面确定宇航芯片在后期摸底阶段的抗单粒子效应阈值和单粒子效应的软错误率； 在芯片达标评估阶段综合对比宇航芯片在后期摸底阶段的抗单粒子效应阈值与前期设计评估阶段的抗单粒子效应的阈值，以及宇航芯片在后期摸底阶段的单粒子效应的软错误率与前期设计评估阶段卫星轨道上宇航芯片发生单粒子效应的软错误率，得到宇航芯片设计是否合格的评估结果。

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