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龙图腾网获悉广州市艾佛光通科技有限公司申请的专利一种高Q值体声波谐振器、滤波器、双工器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120934483B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511458451.4，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权一种高Q值体声波谐振器、滤波器、双工器及其制备方法是由李国强;衣新燕;邱文瑞设计研发完成，并于2025-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高Q值体声波谐振器、滤波器、双工器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高Q值体声波谐振器、滤波器、双工器及其制备方法，涉及体声波谐振器技术领域。该高Q值体声波谐振器中，底电极和顶电极在横向方向上构成高低声阻抗的横向阻抗失配结构，同时在纵向方向上也构成高低声阻抗的纵向阻抗失配结构。本发明的高Q值体声波谐振器旨在解决现有单凸起和双凸起框架结构对兰姆波泄露抑制效果不佳或加工工艺难度较大的问题，保证工艺简单且有效抑制兰姆波横向能量的泄漏，从而提升Q值。

本发明授权一种高Q值体声波谐振器、滤波器、双工器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种制备方法，用于制备高Q值体声波谐振器，其特征在于，高Q值体声波谐振器，包括纵向依次层叠的衬底100、底电极200、压电层300和顶电极400，所述衬底100和所述底电极200之间设置有空腔500，其特征在于，所述底电极200横向方向的两侧边缘均设置有第一横向阻抗失配结构，所述第一横向阻抗失配结构包括沿横向交替连接的第一阻抗部210和第二阻抗部220，所述第一阻抗部210的声阻抗低于所述第二阻抗部220的声阻抗； 所述顶电极400横向方向的两侧边缘均设置有第二横向阻抗失配结构，所述第二横向阻抗失配结构包括沿横向交替连接的第三阻抗部410和第四阻抗部420，所述第三阻抗部410的声阻抗低于所述第四阻抗部420的声阻抗； 所述第三阻抗部410的纵向投影通过与所述第一阻抗部210的纵向投影错位且与所述第二阻抗部220的纵向投影重叠，形成第一纵向阻抗失配结构； 所述第四阻抗部420的纵向投影通过与所述第二阻抗部220的纵向投影错位且与所述第一阻抗部210的纵向投影重叠，形成第二纵向阻抗失配结构； 所述制备方法包括以下步骤： S1.利用光刻工艺，在所述衬底上刻蚀出凹槽后，对所述凹槽进行CVD镀膜，得到填充所述凹槽的牺牲层； S2.利用镀膜工艺，通过在所述牺牲层上进行第一次镀膜，得到图形化的所述第一阻抗部； S3.利用镀膜工艺，通过在所述牺牲层上进行第二次镀膜，得到图形化的所述第二阻抗部，并使所述第二阻抗部与所述第一阻抗部沿横向交替连接成所述底电极； S4.利用PVD工艺，在所述底电极上生长得到压电层； S5.利用镀膜工艺，通过在所述压电层上进行第一次镀膜，得到图形化的所述第三阻抗部，并使所述第三阻抗部的纵向投影与所述第一阻抗部的纵向投影错位且与所述第二阻抗部的纵向投影重叠； S6.利用镀膜工艺，通过在所述压电层上进行第二次镀膜，得到图形化的所述第四阻抗部，并使所述第三阻抗部与所述第四阻抗部沿横向交替连接成所述顶电极，且使所述第四阻抗部的纵向投影与所述第二阻抗部的纵向投影错位且与所述第一阻抗部的纵向投影重叠； S7.通过释放所述牺牲层，得到所述空腔。

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