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龙图腾网获悉广州市艾佛光通科技有限公司申请的专利一种双温补结构的谐振器和滤波器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120934478B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511458532.4，技术领域涉及：H03H3/04；该发明授权一种双温补结构的谐振器和滤波器及其制备方法是由李国强;衣新燕;支国伟设计研发完成，并于2025-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双温补结构的谐振器和滤波器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于谐振器和滤波器加工的技术领域，公开了一种双温补结构的谐振器和滤波器及其制备方法，该制备方法包括：在两个硅晶圆表面分别依次生长剥离层、压电层和图形化硅层，通过常温非金属键合的氧扩散方法，将两个硅晶圆的图形化硅层进行键合，得到有二氧化硅温补层的第一键合衬底，将任一硅晶圆及其对应的剥离层进行剥离，得到第二键合衬底，将刻蚀有空腔结构的第三硅晶圆与第二键合衬底进行键合，得到有双温补结构的第三键合衬底，将另一硅晶圆及其对应的剥离层进行剥离后，在压电层表面生长顶电极，得到双温补结构的谐振器；通过常温非金属键合的氧扩散方法键合二氧化硅温补层，提高了谐振器的工作性能。

本发明授权一种双温补结构的谐振器和滤波器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双温补结构的谐振器的制备方法，用于制备双温补结构的谐振器，其特征在于，包括： 在第一硅晶圆和第二硅晶圆表面分别依次生长剥离层、压电层和图形化硅层； 通过常温非金属键合的氧扩散方法，将所述第一硅晶圆和所述第二硅晶圆的所述图形化硅层进行键合，以形成二氧化硅温补层，得到中心设置有二氧化硅温补层的第一键合衬底； 将所述第一键合衬底的所述第一硅晶圆及其对应的剥离层进行剥离，得到一端露出压电层的第二键合衬底； 通过常温非金属键合的氧扩散方法，将刻蚀有空腔结构的第三硅晶圆与所述第二键合衬底的露出压电层的一端进行键合，得到设置有双温补结构的第三键合衬底； 将远离空腔结构的一端的所述第二硅晶圆及其对应的剥离层进行剥离后，在远离空腔结构的一端的压电层表面生长顶电极，得到双温补结构的谐振器； 通过常温非金属键合的氧扩散方法，将刻蚀有空腔结构的第三硅晶圆与所述第二键合衬底的露出压电层的一端进行键合，得到设置有双温补结构的第三键合衬底，包括： 通过刻蚀技术，对预先准备的第三硅晶圆进行刻蚀，得到刻蚀有空腔结构的第三硅晶圆； 在所述第二键合衬底的露出压电层的一端表面生长底电极和硅层结构； 通过常温非金属键合的氧扩散方法，将所述刻蚀有空腔结构的第三硅晶圆与所述硅层结构进行键合，以形成另一个二氧化硅温补层，得到设置有双温补结构的第三键合衬底。

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