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龙图腾网获悉重庆文理学院申请的专利一种高熵界面诱导的金属陶瓷材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120843919B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511039757.6，技术领域涉及：C22C29/04；该发明授权一种高熵界面诱导的金属陶瓷材料及其制备方法是由程豪;于修齐;邓莹;廖林正;宁恩崇;廖彩阳;熊婉;何苗锦;沈堃;王莹;张睿;刘睿设计研发完成，并于2025-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高熵界面诱导的金属陶瓷材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种高熵界面诱导的金属陶瓷材料，涉及金属陶瓷材料领域，包括TiC,N的硬质相、镍基的粘接相与高熵固溶体的润湿调控相，其中，高熵固溶体为M1,M2,M3,M4,M5C，M1～M5为从钨、钼、钽、铌、锆、镍、锰、铬、铼九种过渡金属中任选五种，且五种过渡金属的混合熵；该陶瓷材料通过基体粉末预处理、非晶态镍基合金制备、高熵固溶体制备、高熵固溶体预处理、粉体混合成型与烧结获得。该陶瓷材料通过构建高熵润湿相诱导界面结构优化，从而提高裂纹钝化能力、增强界面强度，实现陶瓷材料断裂韧性与强度的同步提升。

本发明授权一种高熵界面诱导的金属陶瓷材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高熵界面诱导的金属陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述金属陶瓷材料包括TiC,N的硬质相、镍基的粘接相与高熵固溶体的润湿调控相，硬质相、粘接相与润湿调控相的质量百分比为：45%～50%、18%～22%、28%～33%；TiC,N的硬质相采用TiC0.7,N0.3基体粉末，镍基粘接相采用Ni-Cr-B-Si体系的非晶合金，高熵固溶体采用W,Mo,Ta,Nb,ZrC，且钨、钼、钽、铌、锆和碳的原子摩尔比为4.0～5.5：2.5～3.5：1.0～1.8：0.8～1.5：0.5～1.2：9.0～12.0； 具体制备方法包括： 步骤S1、基体粉末预处理：对TiC0.7,N0.3基体粉末进行真空干燥、保存备用； 步骤S2、非晶态镍基合金制备：采用熔体快淬法制备非晶态镍基合金； 步骤S3、高熵固溶体制备：首先，采用溶胶-凝胶合成法制备高熵碳化物前驱体，再利用激光固相合成W,Mo,Ta,Nb,ZrC的高熵固溶体； 步骤S4、高熵固溶体预处理：采用球磨法制备铌包裹高熵固溶体的核壳结构粉末； 步骤S5、粉体混合成型：对预处理后的基体粉末、非晶态镍基合金、预处理后的高熵固溶体依次进行混合球磨、梯度磁场预处理与双向模压成型，获得压坯； 步骤S6、烧结：将压坯放入烧结炉中，依次进行低温预烧结、三段式固相烧结、液相烧结，其中，三段式固相烧结与液相烧结中均引入磁场调控，冷却退磁后，获得金属陶瓷材料。

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