杭州质禾科技有限公司贾海燕获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州质禾科技有限公司申请的专利MEMS封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120841446B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511374973.6，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权MEMS封装结构及其制备方法是由贾海燕;叶志超;吴钟涵;黄张君设计研发完成，并于2025-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本MEMS封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MEMS封装结构及其制备方法，通过在盖板上形成内侧壁朝衬底法线同一侧倾斜的倾斜通孔，并结合常规薄膜沉积工艺沉积遮挡层，倾斜的孔口边缘为沉积薄膜提供了更有效的“搭桥”效应，使薄膜能够在孔口顶部快速横向生长并遮挡孔口，同时，倾斜的孔壁对随机方向入射的沉积粒子形成物理遮蔽，进一步减少进入腔体内部并沉积在敏感MEMS结构上的材料量。该方法实现了显著减少腔内沉积物、保持MEMS器件高性能、避免内部污染和粘连、提高封装的适用性以及良好的工艺兼容性的有益效果。
本发明授权MEMS封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供MEMS器件结构，所述MEMS器件结构由下向上依次包括衬底、MEMS结构及包覆所述MEMS结构的初始腔体，所述初始腔体内填充有牺牲层； 于所述初始腔体上形成盖板，并形成贯穿所述盖板以显露所述牺牲层的若干个倾斜通孔；其中，所述倾斜通孔的内侧壁朝所述衬底法线的同一侧倾斜； 采用释放刻蚀工艺去除所述牺牲层以形成腔体，并使所述MEMS结构悬浮； 于所述盖板上沉积遮挡层，以遮挡所述倾斜通孔。
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