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龙图腾网获悉原集微科技(上海)有限公司申请的专利基于掺杂制备二维半导体材料CMOS器件的方法及CMOS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120835605B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511340206.3，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权基于掺杂制备二维半导体材料CMOS器件的方法及CMOS器件是由包文中设计研发完成，并于2025-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于掺杂制备二维半导体材料CMOS器件的方法及CMOS器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于掺杂制备二维半导体材料CMOS器件的方法及CMOS器件，其中制备方法包括在二维半导体表面制备nMOSFET和pMOSFET的源极和漏极，之后依次定义二维半导体沟道区域、定义p掺杂区域并掺杂、制备硬质掩膜层、在硬质掩膜层表面定义n掺杂区域并掺杂、制备栅极介质层、制备栅极以及栅极互联。本发明中通过提供一种制备二维半导体材料的CMOS器件的方法，仅涉及对二维半导体材料的掺杂，不涉及二维半导体的转移，工艺复杂性低；通过对二维半导体进行掺杂，以及配合对源极、漏极和栅极材质的选择，得到的CMOS器件，转移特性曲线对称性好，关态电流低，在1.5‑5V范围内均表现出正确的反相功能，电压增益高；同时，器件的电流小，具有显著的低功耗优势。

本发明授权基于掺杂制备二维半导体材料CMOS器件的方法及CMOS器件在权利要求书中公布了：1.一种基于掺杂制备二维半导体材料CMOS器件的方法，其特征在于，包括： S1、在二维半导体表面分别制备nMOSFET和pMOSFET的源极和漏极，其中nMOSFET的源极和漏极采用功函数数值为3.5-4.6eV的金属，pMOSFET的源极和漏极采用功函数数值为5-5.7eV的金属； S2、刻蚀工艺定义二维半导体沟道区域； S3、对暴露的二维半导体沟道区域进行p掺杂处理； S4、制备硬质掩膜层，其覆盖全部CMOS器件区域，其中，硬质掩膜层包括第一介质层和第二介质层； S5、在硬质掩膜层表面定义n掺杂区域，先通过干法刻蚀工艺去除目标掺杂区域的全部第二介质层和部分第一介质层，再通过湿法刻蚀去除目标掺杂区域保留的第一介质层，将nMOSFET的源极和漏极之间的二维半导体沟道区域暴露，直接利用湿法刻蚀液作为掺杂溶液，进行n掺杂； S6、制备栅介质层； S7、在栅介质层表面制备nMOSFET和pMOSFET的栅极； S8、通孔刻蚀工艺暴露nMOSFET的漏极和pMOSFET的漏极，沉积工艺将nMOSFET的栅极和pMOSFET的栅极之间，以及将nMOSFET的漏极和pMOSFET的漏极之间用互联金属进行互连。

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