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龙图腾网获悉上海帝迪集成电路设计有限公司申请的专利一种低功耗快速启动的振荡器电路及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120825124B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510965787.3，技术领域涉及：H03B5/04；该发明授权一种低功耗快速启动的振荡器电路及其控制方法是由卢燕鸽;朱丽丽;张开友;靳瑞英设计研发完成，并于2025-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低功耗快速启动的振荡器电路及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低功耗快速启动的振荡器电路及其控制方法，包含启动电路、偏置电流产生电路和振荡电路，启动电路的输入端连接启动电流I_Start，启动电路的第一输出端与偏置电流产生电路的第一输入端连接，启动电路的第二输出端与偏置电流产生电路的第二输入端连接，振荡电路镜像偏置电流产生电路的电流并交替对两个电容充电放电产生OSC信号。本发明电路内部产生充放电电流，不采用比较器电路，大大的降低了为外部电路的要求和功耗，可以进行频率选择切换，同步切换启动电路，提高了电路的启动时间。

本发明授权一种低功耗快速启动的振荡器电路及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种低功耗快速启动的振荡器电路，其特征在于：包含启动电路、偏置电流产生电路和振荡电路，启动电路的输入端连接启动电流I_Start，启动电路的第一输出端与偏置电流产生电路的第一输入端连接，启动电路的第二输出端与偏置电流产生电路的第二输入端连接，振荡电路镜像偏置电流产生电路的电流并交替对两个电容充电放电产生OSC信号；所述偏置电流产生电路包含PMOS管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM4、PMOS管PM5、NMOS管NM1、NMOS管NM2、NMOS管NM3、NMOS管NM4、NMOS管NM5、开关S1、电阻R1和电阻R2，PMOS管PM1的源极、PMOS管PM2的源极、PMOS管PM4的源极和PMOS管PM5的源极连接电源VDD，PMOS管PM1的栅极与PMOS管PM2的栅极、PMOS管PM4的栅极、PMOS管PM5的栅极、PMOS管PM1的漏极和NMOS管NM5的漏极连接并连接偏置电压VBP，NMOS管NM5的栅极连接偏置电压VBN，NMOS管NM5的源极与NMOS管NM4的漏极连接，PMOS管PM2的漏极与NMOS管NM2的漏极、NMOS管NM3的漏极、NMOS管NM3的栅极和NMOS管NM4的栅极连接并作为偏置电流产生电路的第一输入端，PMOS管PM4的漏极与电阻R2的一端和NMOS管NM2的栅极连接，电阻R2的另一端与电阻R1的一端和开关S1的一端连接于节点X，PMOS管PM5的漏极、NMOS管NM1的漏极和NMOS管NM1的栅极连接偏置电压VBN并作为偏置电流产生电路的第二输入端，NMOS管NM1的源极、开关S1的另一端、电阻R1的另一端、NMOS管NM2的源极、NMOS管NM3的源极和NMOS管NM4的源极接地。

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