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龙图腾网获悉度亘核芯光电技术(苏州)股份有限公司申请的专利一种半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120824630B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511309920.6，技术领域涉及：H01S5/042；该发明授权一种半导体激光器及其制备方法是由白龙刚;蒋明东;黄力;顾本祥设计研发完成，并于2025-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体激光器及其制备方法。半导体激光器包括衬底、层叠结构、导电区、第一隔离槽和第二隔离槽；层叠结构设置于衬底上方，至少包括设置在其最顶层的欧姆接触层及设置在其最底层的N型限制层；导电区形成于层叠结构的顶部，且沿半导体激光器的第一方向延伸，第一方向为半导体激光器的腔长的延伸方向；第一隔离槽在第二方向形成于导电区两侧，第二方向与第一方向垂直；第二隔离槽形成于导电区与第一隔离槽之间，且第一隔离槽延伸到N型限制层或衬底；第二隔离槽延伸到欧姆接触层。该半导体激光器能够切断半导体激光器的内部、表面以及近表面的电流扩散旁路，提高半导体激光器电流的注入效率，提升半导体激光器的良率及可靠性。

本发明授权一种半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器包括： 衬底100； 层叠结构200，设置于所述衬底100上方，所述层叠结构200至少包括设置在所述层叠结构200最顶层的欧姆接触层206及设置在所述层叠结构200最底层的N型限制层201； 导电区300，所述导电区300形成于所述层叠结构200的顶部，且所述导电区300沿第一方向延伸，所述第一方向为所述半导体激光器的腔长的延伸方向； 第一隔离槽400，形成于所述层叠结构200的顶部，且在第二方向上形成于所述导电区300的两侧，所述第二方向与所述第一方向在同一水平面并与所述第一方向垂直； 第二隔离槽500，形成于所述层叠结构200的顶部，且在所述第二方向上形成于所述导电区300与所述第一隔离槽400之间； 其中，所述第一隔离槽400延伸到所述N型限制层201或所述衬底100； 且，所述第二隔离槽500延伸到所述欧姆接触层206。

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