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龙图腾网获悉浙江广芯微电子有限公司申请的专利用于CoolMOS器件的动态损耗检测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120820769B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511324822.X，技术领域涉及：G01R27/26；该发明授权用于CoolMOS器件的动态损耗检测方法及系统是由谢刚;潘文杰设计研发完成，并于2025-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于CoolMOS器件的动态损耗检测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了用于CoolMOS器件的动态损耗检测方法及系统，涉及半导体器件技术领域，包括：根据搭载设备ID检索历史使用场景，并通过聚合得到多个标准测试场景；进行关联性扰动组合，得到中间态测试场景阵列；在进行待检测搭载设备中CoolMOS器件的响应延迟测试后，根据测试结果局域激活中间态测试场景阵列，在待检测搭载设备进行CoolMOS器件的动态损耗测试，输出中间态多元损耗轨迹；进行时空演化建模，输出动态损耗云图。本发明解决了现有技术多依赖于固定测试方法和固定测试场景，不能全面反映CoolMOS器件在实际工作条件下的损耗特性，导致损耗检测结果的真实性、全面性不足的技术问题。

本发明授权用于CoolMOS器件的动态损耗检测方法及系统在权利要求书中公布了：1.用于CoolMOS器件的动态损耗检测方法，其特征在于，所述方法包括： 根据搭载设备ID检索历史使用场景，并通过聚合所述历史使用场景，得到多个标准测试场景； 通过对所述多个标准测试场景进行关联性扰动组合，得到中间态测试场景阵列； 在根据所述多个标准测试场景进行待检测搭载设备中CoolMOS器件的响应延迟测试后，根据测试结果局域激活所述中间态测试场景阵列，在所述待检测搭载设备进行CoolMOS器件的动态损耗测试，输出中间态多元损耗轨迹； 对所述中间态多元损耗轨迹进行时空演化建模，输出动态损耗云图； 通过对所述多个标准测试场景进行关联性扰动组合，得到中间态测试场景阵列，所述方法包括： 根据所述搭载设备ID进行测试场景切换设定穷举，得到Q个测试场景切换路径，其中，每个测试场景切换路径为起始场景至目标场景的场景迁移序列； 根据所述Q个测试场景切换路径映射组合所述多个标准测试场景，得到Q个测试场景序列； 对所述Q个测试场景序列进行场景节点交叉扰动后，进行中间状态点平滑插入，生成多个中间态场景序列； 聚合所述多个中间态场景序列，输出所述中间态测试场景阵列； 在根据所述多个标准测试场景进行待检测搭载设备中CoolMOS器件的响应延迟测试后，根据测试结果局域激活所述中间态测试场景阵列，在所述待检测搭载设备进行CoolMOS器件的动态损耗测试，输出中间态多元损耗轨迹，所述方法包括： 采用所述多个标准测试场景进行场景调试后，在所述待检测搭载设备中对CoolMOS器件进行响应延迟测试，得到多个延迟测试结果； 调用所述多个标准测试场景的多个延迟容纳空间进行所述多个延迟测试结果的合格性比对判断，输出N个不合格测试场景； 将所述N个不合格测试场景作为激活禁忌锚点，在所述中间态测试场景阵列激活局域测试子阵列，所述局域测试子阵列重点关注不合格测试场景及其附近的场景； 将所述局域测试子阵列拆分为多个短线程场景序列； 采用所述多个短线程场景序列在所述待检测搭载设备进行CoolMOS器件的动态损耗测试，输出多个短线程损耗轨迹，其中，所述多个短线程损耗轨迹构成所述中间态多元损耗轨迹。

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