荣芯半导体(宁波)有限公司请求不公布姓名获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉荣芯半导体(宁波)有限公司申请的专利一种图像传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120813084B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511264454.4，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权一种图像传感器及其制备方法是由请求不公布姓名;冉春明;吴胜武;李泽逵设计研发完成，并于2025-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种图像传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种图像传感器及其制备方法，包括：提供衬底，在衬底上依次形成牺牲层和外延层；形成外延层和牺牲层的支撑柱，并且支撑柱还延第一方向延伸设置，第一方向垂直于衬底的厚度方向；刻蚀外延层，以形成露出部分牺牲层的至少一个释放沟槽；以释放沟槽作为释放通道，刻蚀去除牺牲层以在外延层和衬底之间形成空腔；在空腔中形成电容结构，其中，电容结构包括第一电极层、第二电极层以及设置在第一电极层和第二电极层之间的介电层；在外延层中形成包括多个像素单元的像素阵列，每个所述像素单元包括：至少一个光电二极管区、至少一个浮动扩散区和至少一个晶体管，光电二极管区和浮动扩散区间隔设置，光电二极管区远离电容结构的一侧为入光侧。
本发明授权一种图像传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，在所述衬底上依次形成牺牲层和外延层； 形成贯穿所述外延层和所述牺牲层的支撑柱，并且所述支撑柱还沿第一方向延伸设置，所述第一方向垂直于所述衬底的厚度方向； 刻蚀所述外延层，以形成露出部分所述牺牲层的至少一个释放沟槽； 以所述释放沟槽作为释放通道，刻蚀去除所述牺牲层以在所述外延层和所述衬底之间形成空腔； 在所述空腔中形成电容结构，其中，所述电容结构包括第一电极层、第二电极层以及设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间的介电层； 在所述外延层中形成包括多个像素单元的像素阵列，每个所述像素单元包括： 至少一个光电二极管区、至少一个浮动扩散区和至少一个晶体管，所述光电二极管区和所述浮动扩散区间隔设置，所述光电二极管区远离所述电容结构的一侧为入光侧。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人荣芯半导体(宁波)有限公司，其通讯地址为：315809 浙江省宁波市北仑区柴桥街道金水桥路28号4幢1号1层-1；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励