无锡尚积半导体科技股份有限公司俞铭洋获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡尚积半导体科技股份有限公司申请的专利一种基于PECVD生长WS2薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120796951B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511302864.3，技术领域涉及：C23C16/505；该发明授权一种基于PECVD生长WS2薄膜的方法是由俞铭洋;张兆诚;宋永辉;王世宽设计研发完成，并于2025-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于PECVD生长WS2薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明提出了基于PECVD生长WS2薄膜的方法，属于薄膜生长技术领域。本发明通过使用离化的硫源和混合保护气Ar，以及多孔WO3或WF6作为前驱体，实现WS2薄膜的高效生长。本发明方法步骤包括：前驱体准备；气体引入：等离子体激发；薄膜生长；后处理。本发明方法通过等离子体激发，能够显著提高反应物活性，从而在相似甚至更低的温度下实现更快的生长速率，通过拉曼光谱、XRD、AFM以及电学光学等测试结果，可证明采用本发明方法生长的WS2薄膜具有良好的结晶性和均匀性，质量高，适用于高性能器件的制备。
本发明授权一种基于PECVD生长WS2薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于PECVD生长WS2薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1，前驱体准备：将多孔WO3粉末均匀分散在PECVD反应腔室内衬底上； 步骤2，气体引入：将SO2和Ar气体引入PECVD反应腔室，调节两种气体流量，SO2流量为50-100sccm，Ar流量为100-200sccm； 步骤3，等离子体激发：在设定的温度和压力条件下，通过射频电源激发等离子体，促进SO2的离化和反应；设定的温度和压力条件为：反应温度700-900℃，反应压力10-100Pa；RF功率为50-150W； 步骤4，薄膜生长：在等离子体的作用下，WO3与离化的SO2发生反应，生成WS2薄膜，反应副产物被Ar带走并排出反应腔室； 步骤5，后处理：生长完成后，对WS2薄膜进行退火处理。
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