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龙图腾网获悉深圳市速腾聚创科技有限公司申请的专利单光子雪崩二极管、接收传感器及激光雷达获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751785B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511203763.0，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权单光子雪崩二极管、接收传感器及激光雷达是由晁恩飞;姚国峰;张兵坡;夏春秋设计研发完成，并于2025-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本单光子雪崩二极管、接收传感器及激光雷达在说明书摘要公布了：本申请属于光器件技术领域，提供了一种单光子雪崩二极管、接收传感器及激光雷达，通过设置第一SPAD单元的阴极掺杂区电连接第一阴极，第二SPAD单元的阴极掺杂区电连接第二阴极，第一SPAD单元的阳极掺杂区与第二SPAD单元的阳极掺杂区相对设置，第一阴极电连接第二阴极，第一吸收材料区和第二吸收材料区由P型掺杂层隔离，且P型掺杂层与阳极电连接，使得第一SPAD单元和第二SPAD单元背靠背设置，利用上下背靠背的SPAD结构，在保证吸收厚度不变的情况下将光生载流子输运的距离减半，并且，可以减小耗尽区的宽度，使得电场的加载效率更高，更容易获得较大的雪崩几率，从而解决PDE和Jitter特性的矛盾。

本发明授权单光子雪崩二极管、接收传感器及激光雷达在权利要求书中公布了：1.一种单光子雪崩二极管，其特征在于，所述单光子雪崩二极管包括：第一SPAD单元、第二SPAD单元、第一阴极、第二阴极、阳极、P型掺杂层、第一吸收材料区以及第二吸收材料区； 所述第一SPAD单元和所述第二SPAD单元背靠背设置，所述第一SPAD单元被所述第一吸收材料区包裹，所述第二SPAD单元被所述第二吸收材料区包裹，所述第一吸收材料区和所述第二吸收材料区由所述P型掺杂层隔离，且所述P型掺杂层与所述阳极电连接； 所述第一SPAD单元的阴极掺杂区电连接所述第一阴极，所述第二SPAD单元的阴极掺杂区电连接所述第二阴极，所述第一SPAD单元的阳极掺杂区与所述第二SPAD单元的阳极掺杂区相对设置，所述第一阴极电连接所述第二阴极；所述P型掺杂层包括第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、第三P型掺杂区，所述第一吸收材料区的两侧分别设置有所述第一P型掺杂区，所述第二吸收材料区的两侧分别设置有所述第二P型掺杂区，所述第一SPAD单元与所述第二SPAD单元之间设置有所述第三P型掺杂区，所述第一P型掺杂区、所述第二P型掺杂区以及第三P型掺杂区与所述阳极互相电连接，且所述第一P型掺杂区、所述第二P型掺杂区以及第三P型掺杂区的电位一致；所述第一SPAD单元和所述第二SPAD单元串联并共享一个入射光路径。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市速腾聚创科技有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区桃源街道平山社区留仙大道1213号众冠红花岭工业南区2区9栋1层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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