深圳辰达半导体有限公司马奕俊获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳辰达半导体有限公司申请的专利一种超低结电容TVS防护器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120751711B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511181026.5，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种超低结电容TVS防护器件的制备方法是由马奕俊设计研发完成，并于2025-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超低结电容TVS防护器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体地说，涉及一种超低结电容TVS防护器件的制备方法。其包括：基于GaAs衬底构建高深宽比鳍槽阵列，通过反应离子深刻蚀与等离子体修复工艺形成陡直侧壁，突破传统刻蚀深宽比极限，实现耗尽区体积数量级扩展；采用多角度旋转离子注入在三维侧壁形成P+‑梯度本征层‑N+掺杂结构，通过连续浓度斜坡优化电场分布，解决峰值电场集中导致的提前击穿难题；创新空气桥电极工艺，利用牺牲层释放形成空气介质隔离的悬空互连，彻底消除寄生电容；结合多环场限终端与脉冲激光局域退火，实现边缘电场抑制与晶格完整性控制。该方法使器件兼具超低结电容、纳秒级响应与高鲁棒性，为高速通信系统提供颠覆性静电防护解决方案。
本发明授权一种超低结电容TVS防护器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超低结电容TVS防护器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在GaAs衬底上通过反应离子深刻蚀形成深宽比≥5:1的鳍槽阵列，控制侧壁倾角88±0.5%； S2、采用多能量倾斜离子注入在鳍槽侧壁上，沿垂直于衬底表面的方向依次形成P+区、梯度浓度本征缓冲层及N+区，从而在三维侧壁构建PIN结； S3、以聚酰亚胺为牺牲层填充鳍槽，溅射金属后经O2等离子体灰化释放牺牲层，形成空气桥电极； S4、在器件边缘构建场限环及钝化层； S5、并通过脉冲激光退火激活掺杂。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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