武汉衡惯科技发展有限公司黄晟获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉衡惯科技发展有限公司申请的专利一种MEMS惯性器件及其键合工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120740577B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511214221.3，技术领域涉及：G01C21/16；该发明授权一种MEMS惯性器件及其键合工艺是由黄晟;蔡光艳;魏晓莉;蔡喜元;罗戴钟;丁铮;徐佳设计研发完成，并于2025-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS惯性器件及其键合工艺在说明书摘要公布了：本发明提供了一种MEMS惯性器件及其键合工艺，涉及惯性器件技术领域，该器件通过设置包括自下而上依次键合的硅基底、器件层以及上盖板，在器件层与上盖板之间键合有金属走线层，上盖板下侧具有上盖板键合环，金属走线层与上盖板通过上盖板键合环进行键合，且金属走线层上还键合有多个焊盘。本发明能够降低MEMS惯性器件的工艺难度，减小MEMS惯性器件的体积，降低MEMS惯性器件的成本。
本发明授权一种MEMS惯性器件及其键合工艺在权利要求书中公布了：1.一种MEMS惯性器件，包括自下而上依次键合的硅基底、器件层以及上盖板，其特征在于，在所述器件层与所述上盖板之间键合有金属走线层，所述上盖板下侧具有上盖板键合环，所述金属走线层与所述上盖板通过所述上盖板键合环进行键合，且所述金属走线层上还键合有多个焊盘；所述金属走线层包括金属走线层主体以及与金属走线层主体电连接的多个连接盘，金属走线层主体和多个连接盘均位于器件层上，每个连接盘分别电连接所述焊盘，所述上盖板与所述器件层通过所述上盖板键合环与所述金属走线层主体进行键合。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉衡惯科技发展有限公司，其通讯地址为：430206 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B3栋10楼1131(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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