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龙图腾网获悉山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司申请的专利一种光频转换芯片及其制备方法、反射式光频转换系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120676728B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511172687.1，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权一种光频转换芯片及其制备方法、反射式光频转换系统是由周朗设计研发完成，并于2025-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光频转换芯片及其制备方法、反射式光频转换系统在说明书摘要公布了：本申请公开了一种光频转换芯片及其制备方法、反射式光频转换系统，涉及半导体技术领域，光频转换芯片包括硅基底及表面阵列排布的多个像元单元；每个像元单元包括支撑结构和吸收辐射层；支撑结构包括接触层和两个支撑腿；吸收辐射层位于接触层背向硅基底的一侧表面，接触层在硅基底上的投影完全覆盖吸收辐射层在硅基底上的投影，接触层与硅基底之间存在间隔空间；接触层与支撑腿连接，支撑腿位于硅基底的第一表面且位于接触层相对顶角的侧部；像元单元为S形。本发明解决了芯片分辨率较低，像元的散热面较大难以升温导致表观温度降低的问题，可以提高像元单元的升温速度，降低相邻像元之间的热串扰，提高图像的刷新频率、分辨率和表观温度。

本发明授权一种光频转换芯片及其制备方法、反射式光频转换系统在权利要求书中公布了：1.一种光频转换芯片，其特征在于，包括： 硅基底，包括相对的第一表面和第二表面； 阵列排布的多个像元单元，位于所述硅基底的第一表面； 每个所述像元单元包括层叠的支撑结构和吸收辐射层；所述吸收辐射层位于所述支撑结构背向硅基底一侧；所述支撑结构包括接触层和两个支撑腿；所述吸收辐射层位于所述接触层背向所述硅基底的一侧表面，所述接触层在所述硅基底上的投影完全覆盖所述吸收辐射层在所述硅基底上的投影，所述接触层与所述硅基底之间存在间隔空间；所述接触层与所述支撑腿连接，所述支撑腿位于所述硅基底的第一表面，且位于所述接触层相对顶角的侧部； 所述像元单元的俯视形状为S形，包括中心区域和位于中心区域相对两侧的边缘区域；边缘区域与相邻的中心区域的侧边间隔，且所述边缘区域通过过渡区域与相邻的中心区域的侧边的一端连接；每个所述边缘区域的一端连接过渡区域，另一端连接一个所述支撑腿； 所述光频转换芯片还包括： 热沉，位于所述硅基底的第二表面；所述热沉用于对所述硅基底散热； 所述热沉内部设置有液体冷却管道； 所述热沉背向所述硅基底一侧设置有冷却液入口和冷却液出口； 所述冷却液入口和所述冷却液出口分别位于所述液体冷却管道的两端。

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