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龙图腾网获悉青岛展诚科技有限公司申请的专利基于RDL工艺的射频电阻器校准结构及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120674337B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510779406.2，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权基于RDL工艺的射频电阻器校准结构及制造方法是由孙延辉;韦欣;刘涛;朱登基;陈瑞;王虹设计研发完成，并于2025-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于RDL工艺的射频电阻器校准结构及制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及射频集成电路与先进半导体封装技术领域，尤其涉及基于RDL工艺的射频电阻器校准结构及制造方法，包括主电阻模块、冗余电阻模块、激光微调模块、屏蔽层模块及温度补偿模块。主电阻模块通过低温度系数金属合金溅射成膜，采用蛇形或叉指状几何布局降低高频趋肤效应；冗余电阻模块通过窄颈结构与电迁移效应驱动金属离子迁移，补偿光刻线宽偏差及溅射厚度不均。激光微调模块通过脉冲激光选择性烧蚀或退火调整导电路径，结合金属感应电极的实时反馈形成闭环校准。实现封装层级的射频电路参数一致性调控。

本发明授权基于RDL工艺的射频电阻器校准结构及制造方法在权利要求书中公布了：1.基于RDL工艺的射频电阻器校准结构，其特征在于，包括： 主电阻模块，由低温度系数金属合金材料通过溅射工艺集成于RDL互连层表面，采用蛇形或叉指状几何布局降低高频趋肤效应，所述金属合金材料包括镍铬合金或氮化钽； 冗余电阻模块，通过金属化通孔与所述主电阻模块并联或串联，所述金属化通孔贯穿RDL互连层并电连接主电阻模块与冗余电阻模块，所述冗余电阻模块的连接节点处设有窄颈结构，通过施加定向电流诱导电迁移效应，驱动金属离子从冗余电阻模块迁移至主电阻模块，补偿因光刻工艺导致的线宽蚀刻偏差及溅射工艺引起的薄膜厚度不均； 激光微调模块，覆盖所述主电阻模块及冗余电阻模块的连接区域，通过脉冲激光选择性烧蚀或退火改变导电路径，所述激光微调模块集成金属感应电极，所述金属感应电极嵌入RDL互连层并与主电阻模块电连接，实时监测阻值变化并反馈至激光参数控制系统，动态调整激光能量密度及扫描路径； 屏蔽层模块，覆盖于所述主电阻模块及激光微调模块顶部，由氮化硅或聚酰亚胺介质层构成，所述介质层通过等离子体增强化学气相沉积工艺形成，抑制相邻金属布线的高频电磁耦合； 温度补偿模块，设置于所述主电阻模块下方，由钛钨复合层构成，所述钛钨复合层通过溅射工艺沉积于RDL互连层与主电阻模块之间，所述钛钨复合层的热膨胀系数与所述主电阻模块的金属合金材料匹配，降低温度变化引起的电阻漂移。

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