北京集成电路装备创新中心有限公司兰立广获国家专利权
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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利鳍式场效应晶体管器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120603319B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510653405.3，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权鳍式场效应晶体管器件及其制备方法是由兰立广;史小平;张华;田涛设计研发完成，并于2025-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本鳍式场效应晶体管器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种鳍式场效应晶体管器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，其中，所述鳍式场效应晶体管器件包括：依次叠置的第一衬底、器件层和覆盖层；器件层包括多个场效应晶体管；场效应晶体管包括：鳍以及沿鳍的延伸方向依次设置的源极、第一间隔层、栅极、第二间隔层和漏极，源极和漏极分别设于鳍的两端，且分别与鳍连接；鳍、源极、栅极和漏极的被覆盖层覆盖的侧面相互平齐。
本发明授权鳍式场效应晶体管器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种鳍式场效应晶体管器件，其特征在于，包括：依次叠置的第一衬底10、器件层20和覆盖层30； 所述器件层20包括多个场效应晶体管21； 所述场效应晶体管21包括：鳍211以及沿所述鳍211的延伸方向依次设置的源极212、第一间隔层213、栅极214、第二间隔层215和漏极216，所述源极212和所述漏极216分别设于所述鳍211的两端，且分别与所述鳍211连接； 所述鳍211、所述源极212、所述栅极214和所述漏极216的被所述覆盖层30覆盖的侧面相互平齐，且均暴露于所述器件层20的外表面，其中，所述鳍211、所述源极212、所述栅极214和所述漏极216的暴露于所述器件层20的外表面的侧面用于进行电连接。
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